[發明專利]一種用于真空處理裝置的載置臺

有效

• 申請號: 201210153374.8
• 申請日: 2012-05-16
• 公開（公告）號: CN103422072A
• 公開（公告）日: 2013-12-04
• 發明（設計）人: 李蒼
• 申請（專利權）人: 中微半導體設備（上海）有限公司
• 主分類號: C23C16/458
• 分類號: C23C16/458
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 吳世華;馮志云

技術領域

本發明涉及半導體工藝設備，尤其涉及一種用于真空處理裝置的載置臺。

背景技術

在半導體制程中，各種制程很大程度上依賴基片的溫度。因此，對基片的溫度控制是半導體制程中非常重要的一環，而由于基片具有一定尺寸，能夠對基片的溫度進行均勻控制更是至關重要的。

基片溫度控制對于金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)反應器尤為重要。MOCVD是金屬有機化合物化學氣相沉積(Metal-organic?Chemical?Vapor?Deposition)的英文縮寫。MOCVD是在氣相外延生長(VPE)的基礎上發展起來的一種新型氣相外延生長技術。它以III族、II族元素的有機化合物和V、VI族元素的氫化物等作為晶體生長源材料，以熱分解反應方式在襯底上進行氣相外延，生長各種III-V族、II-VI族化合物半導體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。

在現有工藝中，MOCVD機臺的載置臺真空處理裝置通常由基座以及位于基座下方并驅動基座轉動的轉軸，轉軸通過自轉帶動上方的基座一起轉動，其中，現有技術的由轉軸帶動基座的轉動機制主要有兩種：

根據其中一種轉動機制基座是靠轉軸和基座之間的摩擦力來獲得動力轉動的，但是基座和轉軸不可避免地會出現相對位移。本領域技術人員應當理解，在MOCVD機臺中一般還會在基座上放置有若干基片，因此需要設定一個基片定位系統用于確定基片的準確位置。由于在這種轉動機制中，基座和轉軸會不可避免地出現相對位移，而基片定位系統又是以轉軸的轉動角度來確定基片的位置的，因此會導致基片定位不準確，影響制程。

因此，現有技術又提出了另外一種轉動機制，在基座和轉軸之間設定一個很小的連接裝置，將兩者固定起來，這樣就避免了基座和轉軸之間的相對位移。然而，雖然基座與轉軸可以實現同步轉動，但是由于MOCVD機臺的轉軸轉動速度非常快，有時甚至達到1000轉/分以上，當轉軸因斷電而急停時，上方的基座也將跟隨轉軸而急停，由于連接裝置非常小且相對脆弱，原本放置于基座上的處理基板由于慣性的作用而飛出基座，并且基座的急停也大大增加的基座與轉軸之間的磨損，會導致設備和基片的損壞。

因此，業內需要一種新型的轉軸和基座的轉動機制，既能夠滿足轉軸和基座的同步轉動，又能夠避免由于急停而導致的設備或基片的損壞。

發明內容

針對現有技術中的缺陷，本發明的目的是提供一種真空處理裝置的載置臺，使轉軸既能在正常運行時與上方的基座之間完全同步，又能在急停時上方的基座仍然能夠繼續轉動，并緩慢停止，從而解決了現有技術中的不足。

根據本發明的一個方面，提供一種真空處理裝置的載置臺，包括基座和轉軸，基座的下表面中心設有一第一凹槽；該轉軸至少包括一連接端，連接端與第一凹槽相匹配，使轉軸能夠插入第一凹槽；該載置臺還包括至少一個凹入第一凹槽的第二凹槽、與第二凹槽數量相同且凹入連接端端面的第三凹槽、與第三凹槽數量相同的鎖舌以及控制單元；其中，每個鎖舌分別設置于第三凹槽內，并具有一個與第二凹槽的側壁相貼合的表面，用于帶動基座同步轉動；控制單元接收轉軸的轉動或停止狀態信號，控制鎖舌伸出并進入第二凹槽內，或控制鎖舌縮回第三凹槽。

優選地，第二凹槽的數量為一個，且偏離基座的下表面中心設置。

優選地，第二凹槽的數量為多個，且圍繞基座的下表面中心均勻分布。

優選地，鎖舌上表面為一斜面，斜面的凸起由低端到高端沿第一凹槽的切線方向布置，并且鎖舌低端與連接端的一個端面的連接邊相樞接，斜面的凸起高端與第二凹槽的側壁相貼合；控制單元包括：一連桿以及一第一彈簧，連桿的一端與鎖舌凸起高端的下表面連接；，第一彈簧連接于連桿的另一端，其支撐連桿頂住所述鎖舌，使鎖舌凸出并進入第二凹槽，并且在轉軸停止轉動且基座慣性運動時，基座壓迫鎖舌斜面以使第一彈簧受壓壓縮，從而使鎖舌沿樞接邊轉動且縮于第三凹槽中。

優選地，第二凹槽為長方形凹槽，鎖舌為直角三角形柱體，其柱體的斜面為鎖舌上表面，其柱體的一直角面為與第二凹槽的側壁相貼合的表面，另一個直角面為與所述鎖舌凸起高端的下表面。

優選地，連桿和鎖舌由耐高溫材料制成。

優選地，轉軸的轉動或停止狀態信號為控制轉軸轉動的電源通斷信號；控制單元包括一連桿、執行機構以及繼電器；連桿一端連接于所述鎖舌的下表面，繼電器根據獲得的電源通斷信號控制執行機構驅動連桿帶動鎖舌伸出并進入第二凹槽內，或控制鎖舌縮回第三凹槽。