[發(fā)明專利]一種BCD集成器件及其制造方法

有效

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• 申請日: 2012-05-15
• 公開（公告）號: CN103426881A
• 公開（公告）日: 2013-12-04
• 發(fā)明（設計）人: 潘光燃;石金成
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06;H01L21/8249
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種雙極型晶體三極管-互補金屬氧化物半導體場效應晶體管-雙擴散金屬氧化物半導體場效應晶體管BCD集成器件，包括襯底，其特征在于，還包括超高壓N型橫向雙擴散金屬氧化物半導體場效應晶體管nLDMOS、高壓P型金屬氧化物半導體場效應晶體管PMOS和低壓N型雙極型晶體三極管NPN；

其中，所述超高壓nLDMOS、高壓PMOS和低壓NPN位于所述襯底中。

2.如權利要求1所述的集成器件，其特征在于，所述襯底為電阻率為50～200歐姆·厘米的P型單晶襯底。

3.如權利要求1所述的集成器件，其特征在于，所述超高壓nLDMOS的漏極N+摻雜區(qū)位于第一N阱中，所述超高壓nLDMOS的源極N+摻雜區(qū)位于第二N阱中，且所述第一N阱位于第一深N阱中，所述超高壓nLDMOS的體區(qū)為第一P阱，且所述第一P阱位于所述第二N阱和所述第一深N阱之間。

4.如權利要求3所述的集成器件，其特征在于，所述第一深N阱的結深為所述第一N阱的結深的1.5倍～2.5倍，且為所述第二N阱的結深的1.5倍～2.5倍，且為所述第一P阱的結深的1.5倍～2.5倍。

5.如權利要求1所述的集成器件，其特征在于，所述高壓PMOS的漏極P+摻雜區(qū)位于第二P阱中，所述高壓PMOS的源極P+摻雜區(qū)位于第三N阱中，且所述第二P阱和所述第三N阱位于第二深N阱中。

6.如權利要求5所述的集成器件，其特征在于，所述第二深N阱的結深為所述第二P阱的結深的1.5倍～2.5倍，且為所述第三N阱的結深的1.5倍～2.5倍。

7.如權利要求1所述的集成器件，其特征在于，所述低壓NPN的發(fā)射極N+摻雜區(qū)位于第三P阱中，所述低壓NPN的集電區(qū)為第三深N阱，所述第三P阱位于所述第三深N阱中，所述集電區(qū)通過位于第三深N阱中的第四N阱以及位于第四N阱中的N+摻雜區(qū)從低壓NPN的表面引出。

8.如權利要求7所述的集成器件，其特征在于，所述第三深N阱的結深為所述第三P阱的結深的1.5倍～2.5倍，且為所述第四N阱的結深的1.5倍～2.5倍。

9.如權利要求1～8任一所述的集成器件，其特征在于，所述低壓N型金屬氧化物半導體場效應晶體管NMOS和所述低壓PMOS的柵氧化層為薄柵氧，所述高壓NMOS和所述高壓PMOS的柵氧化層為薄柵氧或厚柵氧，所述超高壓nLDMOS的柵氧化層為厚柵氧。

10.一種如權利要求1的雙極型晶體三極管-互補金屬氧化物半導體場效應晶體管-雙擴散金屬氧化物半導體場效應晶體管BCD集成器件的制造方法，其特征在于，該方法包括：

在P型單晶襯底中形成超高壓N型橫向雙擴散金屬氧化物半導體場效應晶體管nLDMOS、高壓P型金屬氧化物半導體場效應晶體管PMOS和低壓N型雙極型晶體三極管NPN。

11.如權利要求10所述的制造方法，其特征在于，在P型單晶襯底中形成超高壓nLDMOS、高壓PMOS和低壓NPN包括：

在P型單晶襯底中形成第一深N阱、第二深N阱和第三深N阱；

在所述第一深N阱中形成第一N阱，以及在所述第一深N阱之外形成第二N阱，在所述第一深N阱之外形成位于所述第一深N阱和所述第二N阱之間的第一P阱；在所述第二深N阱中形成第二P阱和第三N阱；在所述第三深N阱中形成第三P阱和第四N阱；

在所述襯底表面的部分區(qū)域形成場氧化層，在未被所述場氧化層覆蓋的襯底表面區(qū)域形成柵氧化層；

在超高壓nLDMOS的柵氧化層和場氧化層表面的部分區(qū)域以及高壓PMOS的柵氧化層和場氧化層表面的部分區(qū)域形成多晶硅柵；

在所述第一N阱中形成超高壓nLDMOS的漏極的N+摻雜區(qū)，以及在所述第二N阱中形成超高壓nLDMOS的源極的N+摻雜區(qū)，在所述第二P阱中形成高壓PMOS的漏極的P+摻雜區(qū)，以及在所述第三N阱中形成高壓PMOS的源極的P+摻雜區(qū)，以及在所述第三P阱中形成低壓NPN的發(fā)射極的N+摻雜區(qū)和低壓NPN的基極的P+摻雜區(qū)，以及在所述第四N阱中形成低壓NPN的集電極的N+摻雜區(qū)。