[發(fā)明專利]一種具有無源金屬肖特基半導(dǎo)體裝置及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210149039.0
• 申請日: 2012-05-04
• 公開（公告）號: CN103390650B
• 公開（公告）日: 2017-08-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱江
• 申請（專利權(quán)）人: 朱江
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L21/329
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種具有無源金屬肖特基半導(dǎo)體裝置，其特征在于：包括：

襯底層，為半導(dǎo)體材料構(gòu)成；

漂移層，為第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料，位于襯底層之上；

無源金屬區(qū)，為金屬與半導(dǎo)體材料的化合物，位于漂移層中溝槽內(nèi)側(cè)壁下部，同時(shí)溝內(nèi)填充絕緣材料，無源金屬區(qū)垂直襯底層方向與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料交替排列構(gòu)成，并且其上表面臨靠絕緣材料或者第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料，溝槽內(nèi)上部填充多晶第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料，多晶第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材與漂移層和金屬與半導(dǎo)體材料的化合物通過溝槽內(nèi)填充絕緣材料隔離；

肖特基勢壘結(jié)，位于漂移層上表面，為半導(dǎo)體材料與金屬形成的勢壘結(jié)，并且其與無源金屬區(qū)不相連。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述的襯底層為高濃度雜質(zhì)摻雜的半導(dǎo)體材料。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述的肖特基勢壘結(jié)與無源金屬區(qū)之間通過第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料相連。

4.如權(quán)利要求1所述的具有無源金屬肖特基半導(dǎo)體裝置的制備方法，其特征在于：包括如下步驟：

1)在襯底層表面形成第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料層，然后表面形成一種絕緣介質(zhì)；

2)進(jìn)行光刻腐蝕工藝去除表面部分絕緣介質(zhì)，然后刻蝕去除部分裸露半導(dǎo)體材料形成溝槽；

3)在溝槽內(nèi)形成金屬，刻蝕金屬，在溝槽內(nèi)形成氮化硅，用于形成金屬與半導(dǎo)體材料的化合物，反刻蝕氮化硅，腐蝕金屬；

4)在溝槽內(nèi)形成絕緣材料，反刻蝕絕緣材料，進(jìn)行熱氧化工藝，然后淀積多晶第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料反刻蝕多晶第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料；

5)淀積勢壘金屬，燒結(jié)形成肖特基勢壘結(jié)。