[發明專利]一種有機電致發光器件及其制備方法無效
| 申請號: | 201210147212.3 | 申請日: | 2012-05-14 |
| 公開(公告)號: | CN103427024A | 公開(公告)日: | 2013-12-04 |
| 發明(設計)人: | 周明杰;王平;黃輝;陳吉星 | 申請(專利權)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司: | 廣州三環專利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫;熊永強 |
| 地址: | 518000 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 有機 電致發光 器件 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及電子器件相關領域,尤其涉及一種有機電致發光器件及其制備方法。
背景技術
1987年,美國Eastman?Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke報道了有機電致發光研究中的突破性進展。他們利用超薄薄膜技術制備出了高亮度,高效率的雙層有機電致發光器件(OLED)。在該雙層結構的器件中,10V下亮度達到1000cd/m2,其發光效率為1.51lm/W、壽命大于100小時。
OLED的發光原理是基于在外加電場的作用下,電子從陰極注入到有機材料化合物的最低未占有分子軌道(LUMO),而空穴從陽極注入到有機材料化合物的最高占有軌道(HOMO)。電子和空穴在發光層相遇、復合、形成激子,激子在電場作用下遷移,將能量傳遞給發光材料,并激發電子從基態躍遷到激發態,激發態能量通過輻射失活,產生光子,釋放光能。
在傳統的發光器件中,空穴傳輸速率一般比電子傳輸速率要高兩個數量級以上,這就使得空穴在發光區域大量積累,而電子數目較少,最終導致空穴和電子的復合幾率大大降低,復合區域發生變化,使色坐標發生改變,顯色性較差。因此,為了有效提高空穴和電子的復合幾率,提高發光器件的發光效率,提供一種具有可有效調控空穴傳輸速率的有機電致發光器件變得很重要。
發明內容
本發明實施例所要解決的技術問題在于,提供一種有機電致發光器件及其制備方法,通過p摻雜空穴傳輸層調控空穴傳輸速率,有效提高空穴和電子的復合幾率,最終達到提高發光效率的目的。
本發明實施例提供了一種有機電致發光器件,包括:陽極基底、量子阱層、電子傳輸層、電子注入層和陰極,所述量子阱層包括依次層疊的至少兩層p摻雜空穴傳輸層及設置于相鄰的兩層p摻雜空穴傳輸層之間的發光層,所述p摻雜空穴傳輸層的材質為空穴傳輸材料摻雜p型材料形成的混合材料,所述p型材料為2,3,5,6-四氟-7,7,8,8,-四氰基-對苯二醌二甲烷、4,4,4-三(萘基-1-苯基-銨)三苯胺或4,4,4-三(萘基-1-苯基-銨)三苯胺。
優選地,發光層的層數為大于等于1且小于等于6的整數。
量子阱層是由p摻雜空穴傳輸層與發光層交替設置形成的具有n+1個p摻雜空穴傳輸層和n個發光層的結構,其中,1≤n≤6,n為整數。在量子阱結構中,p摻雜空穴傳輸層為勢壘,發光層為勢阱,p摻雜空穴傳輸層與發光層交替設置,第一p摻雜空穴傳輸層設置在陽極基底上,第n+1p摻雜空穴傳輸層上設置電子傳輸層,發光層設置在相鄰兩個p摻雜空穴傳輸層之間。
當n=1時,量子阱層的結構為:p摻雜空穴傳輸層/發光層/p摻雜空穴傳輸層。
當n=2時,量子阱層的結構為:p摻雜空穴傳輸層/發光層/p摻雜空穴傳輸層/發光層/p摻雜空穴傳輸層。
當n的取值過大,則會使得量子阱層的厚度過大,從而影響空穴傳輸的效果,不利于提高發光器件的發光效率,因此n應該取合適的值,本發明中,1≤n≤6,n為整數。
在p摻雜空穴傳輸層的材質中,空穴傳輸材料為主體,p型材料為客體。
優選地,空穴傳輸材料為4,4',4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、N,N’-二(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-4,4’-聯苯二胺(TPD)或N,N’-(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-聯苯二胺(NPB)。
優選地,在p摻雜空穴傳輸層的材質中,p型材料的摻雜質量分數為1~10%。
優選地,發光層的材質為紅熒烯(rubrene)、4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、4-(二腈亞甲叉)-2-甲基-6-(4-二甲胺基-苯乙烯)-4H-吡喃(DCM)或4-(二氰基亞甲基)-2-甲基-6-(四氫-1,1,7,7-四甲基-1H,5H-苯并喹嗪-9-基)乙烯基-4H-吡喃(DCJT)。
發光層的材質為紅光材料,紅光材料由于能隙較窄,適合作為量子阱的勢阱,可以限制空穴與電子復合形成的激子在發光層中發光。
優選地,p摻雜空穴傳輸層的厚度為2~20nm/層,發光層的厚度為2~20nm/層。
p型材料為2,3,5,6-四氟-7,7,8,8,-四氰基-對苯二醌二甲烷(F4-TCNQ)、4,4,4-三(萘基-1-苯基-銨)三苯胺(1T-NATA)或4,4,4-三(萘基-1-苯基-銨)三苯胺(2T-NATA)。
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H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





