[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝以及封裝半導(dǎo)體器件的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210145351.2 | 申請日: | 2012-05-10 |
| 公開(公告)號: | CN103107099A | 公開(公告)日: | 2013-05-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 黃美玲;李潤基;袁敬強;納撒尼爾·撒切黃桑 | 申請(專利權(quán))人: | 聯(lián)合科技(股份有限)公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/367 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務(wù)所 31219 | 代理人: | 余明偉;李儀萍 |
| 地址: | 新加坡*** | 國省代碼: | 新加坡;SG |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 封裝 以及 半導(dǎo)體器件 方法 | ||
1.一種用于形成半導(dǎo)體封裝的方法,其包括:
提供至少一個具有第一表面和第二表面的裸片,其中所述裸片的所述第二表面包括多個導(dǎo)電墊;
提供永久載板,以及將所述至少一個裸片連接到該永久載板;其中,所述至少一個裸片的第一表面面向所述永久載板;以及
形成具有第一表面和第二表面的封蓋以包封所述至少一個裸片;其中,所述封蓋的第一表面與所述永久載板接觸,且所述封蓋的第二表面設(shè)置于不同于所述裸片的第二表面的其他平面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法包括:提供粘合劑到載板的第一表面上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,所述粘合劑至少設(shè)于所述載板的第一平面的裸片區(qū)域上,用于將至少一個裸片永久地承載至所述載板。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法包括:在所述裸片的第一表面上設(shè)置粘合劑。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述粘合劑包括:薄膜、膏體、液態(tài)或?qū)嵝哉澈蟿?/p>
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述永久載板包括晶圓或?qū)щ姲濉?/p>
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,在形成所述封蓋之前,將至少一個裸片連接至所述永久載板。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,所述方法包括:在所述至少一個裸片的所述第二表面上形成犧牲層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其特征在于,所述方法包括:在形成所述封蓋后,移除所述犧牲層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述封蓋通過包括傳遞模塑或壓縮模塑在內(nèi)的模塑技術(shù)形成。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法包括:在至少一個裸片的第二表面上形成具有互聯(lián)件的組合封裝基片;其中,所述互聯(lián)件連接到同一裸片的導(dǎo)電墊。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法,其特征在于,形成所述組合封裝基片包括:
提供圖案化的第一基片層,其中所述第一基片層具有位于所述至少一個裸片的所述第二表面上的過孔;以及
形成所述互聯(lián)件包括:
在所述基片層的表面上提供導(dǎo)電層,以形成導(dǎo)電跡線和所述過孔中的基片過孔接觸件,其中所述導(dǎo)電跡線和所述接觸件連接到所述同一裸片的所述導(dǎo)電墊。
13.一種用于形成半導(dǎo)體封裝的方法,其包括:
提供至少一個具有第一表面和第二表面的裸片堆棧,其中所述裸片堆棧的所述第二表面包括多個導(dǎo)電墊;
提供一永久載板,并將至少一個裸片堆棧連接至所述永久載板,其中所述至少一個裸片堆棧的第一平面面向所述永久載板;以及
形成具有第一表面和第二表面的封蓋以包封所述至少一個裸片堆棧,其中所述封蓋的第一表面與所述永久載板接觸,且所述封蓋的第二表面設(shè)置于不同于所述裸片堆棧的第二表面的其他平面上。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法,其特征在于,所述方法包括在所述載板的第一表面上設(shè)置粘合劑。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法,其特征在于,所述粘合劑至少被設(shè)于所述載板的第一表面的裸片區(qū)域,以將所述至少一個裸片堆棧永久承載至所述載板。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法,其特征在于,所述方法包括在所述裸片堆棧的第一表面上設(shè)置粘合劑。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法,其特征在于,所述粘合劑包括:薄膜、膏體、液態(tài)或?qū)嵝哉澈蟿?/p>
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法,其特征在于,所述永久載板包括晶圓或?qū)щ姲濉?/p>
19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法,其特征在于,形成封蓋之前,將至少一個裸片堆棧連接至所述永久載板。
20.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法,其特征在于,所述方法包括在至少一個裸片堆棧的第二表面上形成犧牲層。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





