[發(fā)明專利]電壓調(diào)節(jié)器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210143180.X | 申請日： | 2012-05-10 |
| 公開（公告）號： | CN102778914A | 公開（公告）日： | 2012-11-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 坂口薰;井村多加志 | 申請（專利權(quán)）人： | 精工電子有限公司 |
| 主分類號： | G05F1/569 | 分類號： | G05F1/569 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;王忠忠 |
| 地址： | 日本千葉*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電壓 調(diào)節(jié)器 | ||
1.?一種電壓調(diào)節(jié)器，具備：
基準(zhǔn)電壓電路，輸出基準(zhǔn)電壓；
差分放大電路，比較所述基準(zhǔn)電壓和基于輸出電壓的電壓，控制輸出晶體管的柵極電壓使得所述輸出電壓為固定；以及
過電流保護(hù)電路，檢測過電流流動到所述輸出晶體管的情況，并限制所述輸出晶體管的電流，其特征在于，
在所述基準(zhǔn)電壓電路中決定所述基準(zhǔn)電壓的元件和在所述過電流保護(hù)電路中決定所述輸出晶體管的最大輸出電流或短路電流的元件具有相同特性。
2.?如權(quán)利要求1所述的電壓調(diào)節(jié)器，其特征在于，
所述基準(zhǔn)電壓電路具備第一NMOS耗盡型晶體管和第一NMOS晶體管；
所述過電流保護(hù)電路具備：感測所述輸出晶體管的輸出電流的感測晶體管、將使流動到所述感測晶體管的電流流動的柵極和漏極短路的第二NMOS耗盡型晶體管、以及電流反射鏡連接的第二NMOS晶體管；
決定所述基準(zhǔn)電壓的元件是所述第一NMOS耗盡型晶體管和所述第一NMOS晶體管；
決定所述過電流保護(hù)電路的最大輸出電流或短路電流的元件是所述第二NMOS耗盡型晶體管和所述第二NMOS晶體管。
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G05F1-00 從系統(tǒng)的輸出端檢測的一個電量對一個或多個預(yù)定值的偏差量并反饋到系統(tǒng)中的一個設(shè)備里以便使該檢測量恢復(fù)到它的一個或多個預(yù)定值的自動調(diào)節(jié)系統(tǒng)，即有回授作用的系統(tǒng)
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G05F1-67 ..為了從一個發(fā)生器，例如太陽能電池，取得最大功率的
