[發明專利]一種多晶硅的制備方法

有效

• 申請號: 201210141961.5
• 申請日: 2012-05-09
• 公開（公告）號: CN103288088A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發明（設計）人: 陳璞;陳淵
• 申請（專利權）人: 蘇州寶時得電動工具有限公司;陳璞
• 主分類號: C01B33/021
• 分類號: C01B33/021
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種多晶硅的制備方法，所述制備方法包括如下步驟：將反應原料置入反應容器中，所述反應原料包括氟硅酸鹽和作為還原劑的金屬；向所述反應容器中插入電極，所述電極包括正極和負極，在所述正極和負極之間施加電壓；在保護氣體氛圍下加熱并攪拌所述反應原料；持續加熱所述反應原料至第一溫度后，保溫預定時間，冷卻得到還原產物；將所述還原產物依次用純水、酸洗滌并干燥處理，得到所述多晶硅。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：施加在所述正極和負極之間的電壓范圍為2-12V。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述正極為硅片或石墨，所述負極為硅片。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述氟硅酸鹽的純度級別至少為分析純，所述氟硅酸鹽選自氟硅酸鉀或氟硅酸鈉。

5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述金屬的純度級別至少為化學純，所述金屬選自鉀或鈉。

6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述氟硅酸鹽與金屬的重量比范圍為2.8:1至4:1。

7.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述第一溫度范圍為140-200℃。

8.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述酸的純度級別為電子純，選自鹽酸，氫氟酸，硫酸中的至少一種。

9.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述干燥處理為真空干燥或冷凍干燥。

10.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述保護氣體選自氮氣或氬氣。