[發明專利]半導體發光裝置及其制造方法

無效

• 申請號: 201210141207.1
• 申請日: 2012-05-08
• 公開（公告）號: CN103390707A
• 公開（公告）日: 2013-11-13
• 發明（設計）人: 謝炎璋
• 申請（專利權）人: 華夏光股份有限公司
• 主分類號: H01L33/22
• 分類號: H01L33/22;H01L33/04;H01L33/00
• 代理公司: 北京泛誠知識產權代理有限公司 11298
• 代理人: 陳波;文琦

1.一種半導體發光裝置，包含：

一基板，具有一第一表面；

一圖案化層，形成于所述基板上，該圖案化層具有一第二表面，該第二表面與所述第一表面之間形成一角度；

一第一摻雜層，形成于所述基板及所述圖案化層上，且延伸平行于所述第一表面；

一發光層，形成于所述第一摻雜層上，且延伸平行于所述第一表面；及

一第二摻雜層，形成于所述發光層上，且延伸平行于所述第一表面。

2.根據權利要求1所述之半導體發光裝置，其中所述第一表面為所述基板的頂面，且所述第二表面為所述圖案化層的側面，其中所述第二表面傾斜于所述第一表面。

3.根據權利要求1所述之半導體發光裝置，其中所述基板的材質為砷化鎵、鍺表面形成鍺化硅、硅表面形成碳化硅、鋁表面形成氧化鋁、氮化鎵、氮化銦、氮化鋁、氧化鋅、藍寶石、玻璃、石英或其組合。

4.根據權利要求1所述之半導體發光裝置，其中所述第一表面為C相平面、M相平面或A相平面。

5.根據權利要求1所述之半導體發光裝置，其中所述第一表面為C相平面，且所述第二表面為R相平面；或是所述一表面為M相平面，且所述第二表面為C相平面；或是所述第一表面為A相平面，且所述第二表面為R相平面或N相平面。

6.根據權利要求1所述之半導體發光裝置，其中所述圖案化層具有一空隙，以暴露出部分所述基板的表面。

7.根據權利要求1所述之半導體發光裝置，其中所述圖案化層包含多個角錐體、多個圓錐體和/或多個火山形體。

8.根據權利要求1所述之半導體發光裝置，其中所述圖案化層的材質異于所述基板的材質。

9.根據權利要求8所述之半導體發光裝置，其中所述圖案化層的材質為二氧化硅、碳化硅、氮化硅或其組合。

10.根據權利要求8所述之半導體發光裝置，其中所述圖案化層及所述基板的材質使得所述第一摻雜層容易形成于所述第一表面，但是不容易形成于所述第二表面。

11.根據權利要求1所述之半導體發光裝置，其中所述第一摻雜層、所述發光層及所述第二摻雜層的材質包含三族氮化物。

12.根據權利要求1所述之半導體發光裝置，其中所述發光層包含單一量子阱或多重量子阱。

13.根據權利要求1所述之半導體發光裝置，其中所述發光層包含超晶格結構。

14.根據權利要求6所述之半導體發光裝置，還包含一成核層，形成于所述基板與所述圖案化層上，并填滿所述圖案化層的空隙，且所述圖案化層及所述基板的材質使得所述成核層容易形成于所述第一表面，但是不容易形成于所述第二表面。

15.根據權利要求14所述之半導體發光裝置，還包含一非摻雜層，形成于所述成核層與所述第一摻雜層之間。

16.一種半導體發光裝置的制造方法，包含：

提供一基板，具有一第一表面；

形成一圖案化層于所述基板上，該圖案化層具有一第二表面，該第二表面與所述第一表面之間形成一角度；

形成一第一摻雜層于所述基板及所述圖案化層上，且延伸平行于所述第一表面；

形成一發光層于所述第一摻雜層上，且延伸平行于所述第一表面；及

形成一第二摻雜層于所述發光層上，且延伸平行于所述第一表面。

17.根據權利要求16所述半導體發光裝置的制造方法，其中所述圖案化層的形成步驟包含：

形成一結晶膜；及

除去部分的所述結晶膜，因而形成所述圖案化層。

18.根據權利要求17所述半導體發光裝置的制造方法，其中除去部分所述結晶膜的步驟包含形成一空隙，以暴露出部分所述基板的表面。

19.根據權利要求18所述半導體發光裝置的制造方法，還包含形成一成核層及一非摻雜層于所述基板與所述圖案化層上，所述成核層填滿所述圖案化層的空隙，所述非摻雜層位于所述成核層與所述第一摻雜層之間。