[發明專利]單芯片正裝先封裝后蝕刻無基島封裝結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201210140784.9
• 申請日: 2012-05-09
• 公開（公告）號: CN102856286A
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發明（設計）人: 王新潮;梁志忠;李維平
• 申請（專利權）人: 江蘇長電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/31;H01L21/50
• 代理公司: 江陰市同盛專利事務所 32210
• 代理人: 唐紉蘭

1.一種單芯片正裝先封裝后蝕刻無基島封裝結構，其特征在于它包括引腳（1），所述引腳（1）正面通過導電或不導電粘結物質（2）設置有芯片（3），所述芯片（3）正面與引腳（1）正面之間用金屬線（4）相連接，所述引腳（1）與引腳（1）之間的區域、引腳（1）上部的區域、引腳（1）下部的區域以及芯片（3）和金屬線（4）外均包封有塑封料（5），所述引腳（1）背面的塑封料（5）上開設有小孔（6），所述小孔（6）與引腳（1）背面相連通，所述小孔（6）內設置有金屬球（8），所述金屬球（8）與引腳（1）背面相接觸。

2.一種如權利要求1所述的單芯片正裝先封裝后蝕刻基島埋入封裝結構的制作方法，所述方法包括以下步驟：

步驟一、取金屬基板

步驟二、金屬基板表面預鍍銅

步驟三、貼光阻膜作業

在完成預鍍銅材薄膜的金屬基板的正面及背面分別貼上可進行曝光顯影的光阻膜；

步驟四、金屬基板正面去除部分光阻膜

利用曝光顯影設備將步驟三完成貼光阻膜作業的金屬基板正面進行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬基板正面后續需要進行電鍍的區域圖形；

步驟五、電鍍惰性金屬線路層

在步驟四中金屬基板正面去除部分光阻膜的區域內電鍍上惰性金屬線路層；

步驟六、電鍍金屬線路層

在步驟五中的惰性金屬線路層表面鍍上多層或是單層金屬線路層，金屬線路層電鍍完成后即在金屬基板上形成相應的引腳上部；

步驟七、去除光阻膜

去除金屬基板表面的光阻膜；

步驟八、涂覆粘結物質

在步驟六形成的引腳上部正面涂覆導電或是不導電的粘結物質；

步驟九、裝片

在步驟八的引腳上部植入芯片；

步驟十、打線

在芯片正面與引腳正面之間進行鍵合金屬線作業；

步驟十一、包封

將步驟十中的金屬基板正面采用塑封料進行塑封；

步驟十二、貼光阻膜作業

在完成塑封工作的金屬基板的正面以及背面分別貼上可進行曝光顯影的光阻膜；

步驟十三、金屬基板背面去除部分光阻膜

利用曝光顯影設備將步驟十二完成貼光阻膜作業的金屬基板背面進行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬基板背面后續需要進行化學蝕刻的區域圖形；

步驟十四、化學蝕刻

將步驟十三中金屬基板背面完成曝光顯影的區域進行化學蝕刻；

步驟十五、電鍍金屬線路層

在惰性金屬表面鍍上多層或是單層金屬線路層，金屬電鍍完成后即在金屬基板上形成相應的引腳下部；

步驟十六、去除光阻膜

去除金屬基板表面的光阻膜；

步驟十七、包封

將步驟十六中的金屬基板背面采用塑封料進行塑封；

步驟十八、塑封料表面開孔

在金屬基板背面預包封塑封料的表面進行需要后續植金屬球的區域進行開孔，具體是在引腳背面進行開孔；

步驟十九、清洗

在金屬基板背面塑封料開孔處進行氧化物質、油脂物質的清洗，同時可進行金屬保護層的被覆；

步驟二十、植球

在金屬基板背面塑封體開孔處內植入金屬球，使金屬球與引腳的背面相接觸；

步驟二十一、切割成品

將步驟二十完成植球的半成品進行切割作業，使原本以陣列式集合體方式集成在一起并含有芯片的塑封體模塊一顆顆切割獨立開來，制得單芯片正裝先封裝后蝕刻無基島封裝結構，可采用常規的鉆石刀片以及常規的切割設備即可。

3.根據權利要求2所述的一種單芯片正裝先封裝后蝕刻無基島封裝結構的制作方法，其特征在于：所述引腳（1）與引腳（1）之間跨接有無源器件（9），所述無源器件（9）跨接于引腳（1）正面與引腳（1）正面之間或跨接于引腳（1）背面與引腳（1）背面之間。

4.根據權利要求2~3其中之一所述的一種單芯片正裝先封裝后蝕刻無基島封裝結構的制作方法，其特征在于所述引腳（1）有多圈。

5.根據權利要求2所述的一種單芯片正裝先封裝后蝕刻無基島封裝結構的制作方法，其特征在于：所述步驟十九對金屬基板背面塑封料開孔處進行清洗同時進行金屬保護層被覆。

6.根據權利要求1所述的一種單芯片正裝先封裝后蝕刻無基島封裝結構，其特征在于：所述引腳（1）包括引腳上部、引腳下部和中間阻擋層，所述引腳上部和引腳下部均由單層或多層金屬電鍍而成，所述中間阻擋層為鎳層或鈦層或銅層。