[發(fā)明專利]提高導(dǎo)電性能的晶體硅太陽能電池無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210140699.2 | 申請(qǐng)日: | 2012-05-08 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102709360A | 公開(公告)日: | 2012-10-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 許庭靜 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 常州天合光能有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/048 | 分類號(hào): | H01L31/048;H01L31/0224 |
| 代理公司: | 常州市維益專利事務(wù)所 32211 | 代理人: | 王凌霄 |
| 地址: | 213031 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 提高 導(dǎo)電 性能 晶體 太陽能電池 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及在晶體硅太陽能電池的技術(shù)領(lǐng)域,尤其是一種對(duì)EVA膜進(jìn)行改性的提高導(dǎo)電性能的晶體硅太陽能電池。
背景技術(shù)
晶體硅太陽能電池制備完成組件封裝時(shí),在正反表面都會(huì)覆蓋一層EVA膜,在真空加熱狀態(tài)下,EVA熔化與電池表面形成接觸,可以起到固定電池片,防止老化的作用;由于電池表面粗糙,EVA膜表面光滑,如果EVA膜放置不合理,在壓縮過程中可能會(huì)拉脫電池表面的柵線及焊帶,導(dǎo)致電池失效。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是:克服現(xiàn)有技術(shù)中之不足,提供一種提高導(dǎo)電性能的晶體硅太陽能電池。
本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:一種提高導(dǎo)電性能的晶體硅太陽能電池,具有硅片和分別設(shè)置在硅片上方與下方的EVA膜,所述的上方的EVA膜與硅片貼合的區(qū)域配置有至少一個(gè)透明導(dǎo)電層。
所述的透明導(dǎo)電層的區(qū)域面積不大于對(duì)應(yīng)硅片的面積。
所述的透明導(dǎo)電層以焊帶為中心均勻分布。
所述的透明導(dǎo)電層可以是透明高分子導(dǎo)電膠水。
本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明改善晶體硅太陽能電池正面導(dǎo)電性能,輔助正面銀電極導(dǎo)電,提高組件的可靠性,能一定程度上提高組件功率;涂覆的透明高分子導(dǎo)電膠水可以改善粗糙的晶體硅太陽能電池正面與EVA膜表面結(jié)合的力學(xué)性能,提高了組件的封裝可靠性,延長了組件的使用壽命。
附圖說明
下面結(jié)合附圖和實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說明。
圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是本發(fā)明的EVA膜與透明導(dǎo)電層的示意圖。
圖中:1.硅片,2.EVA膜,3.透明導(dǎo)電層。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)在結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說明。這些附圖均為簡化的示意圖僅以示意方式說明本發(fā)明的基本結(jié)構(gòu),因此其僅顯示與本發(fā)明有關(guān)的構(gòu)成。
如圖1和圖2所示的提高導(dǎo)電性能的晶體硅太陽能電池,具有硅片1和分別設(shè)置在硅片1上方與下方的EVA膜2,上方的EVA膜2與硅片1貼合的區(qū)域配置有若干個(gè)以焊帶為中心均勻分布的透明導(dǎo)電層3。
在將硅片1與EVA膜2等進(jìn)行層壓之前,在與硅片1相接觸的上方的EVA膜的底端表面涂覆透明高分子導(dǎo)電膠水,使得EVA膜2的表面導(dǎo)電,可以輔助正面Ag柵線導(dǎo)電,同時(shí)也可以輔助固定晶體硅太陽能電池,改善電池正面導(dǎo)電性能,在一定程度上提高組件功率的作用。
透明導(dǎo)電層3的區(qū)域面積小于硅片1的面積。
上述的EVA膜2的表面改性方法可以采用連續(xù)生產(chǎn)的模式:EVA膜2卷繞在支架上,通過安裝在支架上方的夾子將EVA膜2拉出,EVA膜2向前運(yùn)動(dòng),經(jīng)過印刷頭,印刷頭將表面的透明透明高分子導(dǎo)電膠水涂覆在EVA膜2上,當(dāng)EVA膜2達(dá)到一定長度后,由切刀切割,并由EVA膜2下方的導(dǎo)輪傳給操作人員,操作人員將串焊好的電池串在EVA膜2上固定,送入層壓機(jī)層壓。
上述實(shí)施方式只為說明本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn),其目的在于讓熟悉此項(xiàng)技術(shù)的人士能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并加以實(shí)施,并不能以此限制本發(fā)明的保護(hù)范圍,凡根據(jù)本發(fā)明精神實(shí)質(zhì)所作的等效變化或修飾,都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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