[發明專利]一種Y2Si2O7 晶須的制備方法有效
| 申請號： | 201210139468.X | 申請日： | 2012-05-08 |
| 公開（公告）號： | CN102660766A | 公開（公告）日： | 2012-09-12 |
| 發明（設計）人： | 黃劍鋒;楊柳青;曹麗云;王雅琴 | 申請（專利權）人： | 陜西科技大學 |
| 主分類號： | C30B7/10 | 分類號： | C30B7/10;C30B29/62;C30B29/34 |
| 代理公司： | 西安通大專利代理有限責任公司 61200 | 代理人： | 陸萬壽 |
| 地址： | 710021 *** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 sub si 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種形貌可控的Y2Si2O7材料的制備方法，具體涉及一種Y2Si2O7晶須的制備方法。
背景技術
Y2Si2O7又稱焦硅酸釔，屬于單斜p21/m空間群結構，在空間上形成由[YO6]八面體頂點連接成二維網狀結構，網狀結構層與層間空隙由分離的[Si2O7]6-雙四面體填充[Julien?Parmentier,Philippe?Bodart?R.Phase?transformations?in?Gel-derived?and?mixed-powder-derived?yttrium?disilicate,Y2Si2O7?by?X-ray?diffraction?and?29SiMAS?NMR[J].Journal?of?Solid?State?Chemistry,2000,149:16220.]。
焦硅酸釔(Y2Si2O7)自身具備的結構特點及一系列優異的物理化學性能，使其被廣泛應用于電、磁、及光學領域。已有文獻[GD?Wilk,RM?Wallance,JM?Anthony.Hafnium?and?zirconium?silicates?for?advanced?gate?dielectrics[J].Journal?of?Applied?Physics,2000,87(1):484.]的報道中指出了焦硅酸釔(Y2Si2O7)是一種高介電常數的材料。日本學者N?Taghavinia[Nelson?Pan?IK.Optimization?of?materials?and?processes?on?co-cured?composite?honey?comb?panels.International?Sanple?Technical?Conference,1997:97.]等對制備的Eu3+:Y2Si2O7薄膜材料分析表征及性能測試后表明，該材料在紫外激發下具有較好的亮度值及色飽和度。
微電子、半導體領域的發展要求材料在保持高電容的前提下，同時具有很高的介電常數和較低的隧穿電流，這就要求進一步減小晶體管尺寸，傳統SiO2材料尺寸減小的同時，材料本身因受到量子尺寸效應而失去介電性。研究表明[M?Copel,E?Cartier,V?Narayanan,et?al.Characterization?of?silicate/Si(001)interfaces[J].Applied?Physics?Letters,2002,81(22):4227-4229.]，焦硅酸釔(Y2Si2O7)材料有望克服以上缺點而取代SiO2成為新型電子、光學和耐高溫結構材料，從而使具備優異性能小尺寸焦硅酸釔(Y2Si2O7)材料的制備引起了研究人員的廣泛關注。
目前，有關焦硅酸釔(Y2Si2O7)的制備方法主要有如下幾種：溶膠-凝膠法、微波水熱合成法、聲化學合成法、激光脈沖沉積技術、燃燒法等。這些制備方法都具有其獨特的優點，但不足之處大多在于制備工藝復雜、反應周期長、反應條件要求較苛刻、需后期晶化處理等，且大多是關于Y2Si2O7粉體制備的報道，未見對Y2Si2O7晶須制備的報道。
發明內容
本發明的目的在于提供一種采用溶劑熱法制備出形貌可控、高純且粒度較為均一的焦硅酸釔(Y2Si2O7)晶須。
為達到上述目的，本發明采用的技術方案是：
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