[發(fā)明專利]一種提高圖形線寬量測(cè)精度對(duì)準(zhǔn)的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210136005.8 | 申請(qǐng)日: | 2012-05-04 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102683238A | 公開(公告)日: | 2012-09-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王劍;戴韞青 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/66 | 分類號(hào): | H01L21/66;G03F9/00 |
| 代理公司: | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人: | 王敏杰 |
| 地址: | 201210 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 提高 圖形 線寬量測(cè) 精度 對(duì)準(zhǔn) 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種微電子的技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種能夠提高圖形線寬量測(cè)精度對(duì)準(zhǔn)的方法。
背景技術(shù)
半導(dǎo)體芯片制造中,使用光刻機(jī)(scanner)曝光定義電路圖形,線寬尺寸(CD)越來越小,掃描式電子顯微鏡(SEM)是量測(cè)特征尺寸線寬的主要設(shè)備。其成像原理是電子束照射在被量測(cè)物體上,在不同形貌區(qū)域產(chǎn)生不同數(shù)量的二次電子。收集二次電子信號(hào)并轉(zhuǎn)化成特征尺寸線寬的圖像。當(dāng)電子束照射在光刻膠上時(shí),會(huì)對(duì)光刻膠造成電子照射損傷,導(dǎo)致光刻膠圖形變形,影響特征尺寸線寬的量測(cè)結(jié)果。為了減少對(duì)光刻膠的電子照射損傷,生產(chǎn)中需要建立量測(cè)程序完成自動(dòng)量測(cè),其中量測(cè)程序的第一個(gè)步驟就要進(jìn)行精確對(duì)準(zhǔn)。
隨著半導(dǎo)體芯片的集成度不斷提高,晶體管的特征尺寸不斷縮小到納米級(jí),生產(chǎn)工藝也越來越復(fù)雜。在生產(chǎn)中各種元器件的三維結(jié)構(gòu)被分解為幾十層二維的光刻圖形。為了達(dá)到良好的器件性能,各個(gè)光刻圖形要有精準(zhǔn)的特征尺寸線寬,目前生產(chǎn)中使用日立(Hitachi)掃描電子顯微鏡(SEM)進(jìn)行量測(cè),在建立量測(cè)的程序中,第一步需要進(jìn)行晶圓的對(duì)準(zhǔn),它的目的是先找到曝光范圍(field)的相對(duì)容易識(shí)別的圖形目標(biāo)作為基準(zhǔn)位置,目前找基準(zhǔn)位置主要有兩種,一種是在field里面找到一個(gè)圖形,這種方法缺點(diǎn)是如果量測(cè)圖形在基準(zhǔn)的左邊,那么在量測(cè)的時(shí)候,量測(cè)圖形被認(rèn)為是左邊的field,如圖1所示的一種對(duì)準(zhǔn)基準(zhǔn)在field里的方法,1為量測(cè)圖形,2為基準(zhǔn)。
第二種是在field交界處十字形圖形,這種方法缺點(diǎn)是圖形由大塊的光阻區(qū)和非光阻區(qū)組成,在對(duì)準(zhǔn)時(shí)容易失焦,導(dǎo)致對(duì)準(zhǔn)發(fā)生錯(cuò)誤,如圖2所示的一種對(duì)準(zhǔn)基準(zhǔn)在field交界處的十字圖形的方法,3為光阻區(qū),4為非光阻區(qū)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種提高圖形線寬量測(cè)精度對(duì)準(zhǔn)的方法,以解決現(xiàn)有找基準(zhǔn)位置方法中如果量測(cè)圖形在基準(zhǔn)的左邊,那么在量測(cè)時(shí)量測(cè)圖形被認(rèn)為是左邊的field,以及對(duì)準(zhǔn)時(shí)容易失焦,導(dǎo)致對(duì)準(zhǔn)發(fā)生錯(cuò)誤的問題。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采取的技術(shù)方案為:
一種提高圖形線寬量測(cè)精度對(duì)準(zhǔn)的方法,其中:
S1:在掩模板上設(shè)置具有數(shù)字或字母和接觸孔的圖形結(jié)構(gòu);
S2:對(duì)所述掩模板進(jìn)行曝光晶圓,在交界處形成對(duì)準(zhǔn)圖形;
S3:建立自動(dòng)量測(cè)程序,對(duì)所述對(duì)準(zhǔn)圖形進(jìn)行精度對(duì)準(zhǔn);
S4:自動(dòng)量測(cè)晶圓所需的結(jié)構(gòu)圖形。
上述的一種提高圖形線寬量測(cè)精度對(duì)準(zhǔn)的方法,其中,所述對(duì)準(zhǔn)圖形為在橫豎接觸孔中具有數(shù)字的圖形。
上述的一種提高圖形線寬量測(cè)精度對(duì)準(zhǔn)的方法,其中,所述對(duì)準(zhǔn)圖形為在橫豎接觸孔中具有字母的圖形。
上述的一種提高圖形線寬量測(cè)精度對(duì)準(zhǔn)的方法,其中,所述對(duì)準(zhǔn)圖通過交界形成四個(gè)部分。
上述的一種提高圖形線寬量測(cè)精度對(duì)準(zhǔn)的方法,其中,用于0.25微米技術(shù)節(jié)點(diǎn)以下。
本發(fā)明由于采用了上述技術(shù),使之具有的積極效果是:
本發(fā)明提出在field交界處曝光帶有數(shù)字或字母圖形結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)方案,該圖形結(jié)構(gòu)用于在線寬量測(cè)第一步的精度對(duì)準(zhǔn),同時(shí)可方便的識(shí)別field?的上下左右順序,并適用于0.25微米技術(shù)節(jié)點(diǎn)以下線條光刻生產(chǎn)工藝。本發(fā)明分割開的光阻區(qū)和非光阻區(qū)的小線條圖形,更容易對(duì)焦,而且數(shù)字或字母代碼更容易識(shí)別上下左右field的位置。
附圖說明
圖1是一種對(duì)準(zhǔn)基準(zhǔn)在field里的方法。
圖2是一種對(duì)準(zhǔn)基準(zhǔn)在field交界處的十字圖形的方法。
圖3是本發(fā)明的一種提高圖形線寬量測(cè)精度對(duì)準(zhǔn)的方法中曝光排列的示意圖。
圖4是本發(fā)明的一種提高圖形線寬量測(cè)精度對(duì)準(zhǔn)的方法中接觸孔對(duì)準(zhǔn)圖形結(jié)構(gòu)的一種示意圖。
圖5是本發(fā)明的一種提高圖形線寬量測(cè)精度對(duì)準(zhǔn)的方法中接觸孔對(duì)準(zhǔn)圖形結(jié)構(gòu)的另一種示意圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖給出本發(fā)明一種提高圖形線寬量測(cè)精度對(duì)準(zhǔn)的方法的具體實(shí)施方式。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





