[發明專利]半導體器件制造方法有效
| 申請號： | 201210134103.8 | 申請日： | 2012-04-29 |
| 公開（公告）號： | CN103377944A | 公開（公告）日： | 2013-10-30 |
| 發明（設計）人： | 羅軍;鄧堅;趙超;鐘匯才;李俊峰;陳大鵬 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京藍智輝煌知識產權代理事務所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陳紅 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 制造 方法 | ||
1.一種半導體器件制造方法，包括步驟：
在襯底上形成柵極堆疊結構；
執行第一離子注入，在柵極堆疊結構兩側的襯底中注入第一摻雜離子；
在襯底和柵極堆疊結構上形成金屬層；
執行第一退火，金屬層與襯底反應形成金屬硅化物的源漏區；
執行第二離子注入，在金屬硅化物的源漏區中注入第二摻雜離子；
執行第二退火，在金屬硅化物的源漏區與襯底之間的界面處形成第二摻雜離子的分凝區。
2.如權利要求1的半導體器件制造方法，其中，執行第一退火的同時，也在金屬硅化物的源漏區與襯底之間的界面處形成第一摻雜離子的分凝區。
3.如權利要求1的半導體器件制造方法，其中，對于PMOS而言，第一摻雜離子和/或第二摻雜離子包括B、Al、Ga、In及其組合；對于NMOS而言，第一摻雜離子和/或第二摻雜離子包括N、P、As、O、S、Se、Te、F、Cl及其組合。
4.如權利要求1的半導體器件制造方法，其中，第一摻雜離子和/或第二摻雜離子的注入劑量為1×1014～5×1015cm-2。
5.如權利要求1的半導體器件制造方法，其中，金屬層包括Ni、Ni-Pt、Ni-Co、Ni-Pt-Co。
6.如權利要求5的半導體器件制造方法，其中，非Ni元素的總含量小于等于10％。
7.如權利要求1的半導體器件制造方法，其中，金屬層厚度為1～30nm。
8.如權利要求1的半導體器件制造方法，其中，第一退火溫度為450～550℃，退火時間為10～300s。
9.如權利要求1的半導體器件制造方法，其中，第二退火溫度為450～850℃，退火時間為10～300s。
10.如權利要求1的半導體器件制造方法，其中，金屬硅化物包括NiSi、NiPtSi、NiCoSi、NiPtCoSi。
11.如權利要求1的半導體器件制造方法，其中，第一摻雜離子和第二摻雜離子導電類型相同或者不同。
12.如權利要求1的半導體器件制造方法，其中，第一摻雜離子和第二摻雜離子相同或者不同。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
