[發(fā)明專利]采用偽柵極去除的集成電路電阻器制造

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210133069.2
• 申請(qǐng)日: 2012-04-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103199062A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-07-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 柯俊宏;陳志輝;王世維
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/822
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/822;H01L21/02
• 代理公司: 北京德恒律師事務(wù)所 11306
• 代理人: 陸鑫;房嶺梅

1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：

提供襯底，所述襯底包括晶體管器件區(qū)和隔離區(qū)；

在所述晶體管器件區(qū)上方形成偽柵極以及在所述隔離區(qū)上方形成電阻器；

用摻雜劑注入所述電阻器；

濕法蝕刻所述偽柵極以去除所述偽柵極；以及

在所述晶體管器件區(qū)上方形成金屬柵極從而替換所述偽柵極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述偽柵極和所述電阻器包括沉積多晶硅或非晶硅。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，注入所述電阻器包括注入硅、鍺、碳、氙、n-型摻雜劑、和/或p-型摻雜劑。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，注入所述電阻器包括通過(guò)光刻膠注入所述電阻器，所述光刻膠覆蓋所述偽柵極并且通過(guò)孔暴露出所述電阻器。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，濕法蝕刻所述偽柵極包括用氫氧化鉀(KOH)、四甲基氫氧化銨(TMAH)、或氫氧化銨(NH₄OH)蝕刻。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，注入所述電阻器包括在范圍為約1e14至約8e15之間的注入劑濃度下注入摻雜劑，并且其中，濕法蝕刻所述偽柵極包括對(duì)所述偽柵極蝕刻約60秒至約200秒之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

在經(jīng)注入的所述電阻器和所述偽柵極的上方形成層間介電(ILD)層；以及

使所述ILD層平坦化從而暴露出所述偽柵極和經(jīng)注入的所述電阻器。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

在經(jīng)注入的所述電阻器和所述金屬柵極的上方形成層間介電(ILD)層；以及

通過(guò)所述ILD層在所述金屬柵極上方形成第一接觸件，以及通過(guò)所述ILD層在所述電阻器上方形成第二接觸件。

9.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：

提供襯底，所述襯底包括晶體管器件區(qū)和隔離區(qū)；

在所述晶體管器件區(qū)上方形成偽柵極以及在所述隔離區(qū)上方形成電阻器；

通過(guò)光刻膠用摻雜劑注入所述電阻器，所述光刻膠覆蓋所述偽柵極并且通過(guò)孔暴露出所述電阻器；

去除所述光刻膠；

在經(jīng)注入的所述電阻器和所述偽柵極的上方形成層間介電(ILD)層；

使所述ILD層平坦化從而暴露出所述偽柵極和經(jīng)注入的所述電阻器；

濕法蝕刻所述偽柵極以去除所述偽柵極；以及

在所述晶體管器件區(qū)上方形成金屬柵極從而替換所述偽柵極。

10.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：

提供襯底，所述襯底包括晶體管器件區(qū)和隔離區(qū)；

在所述晶體管器件區(qū)上方形成偽柵極以及在所述隔離區(qū)上方形成電阻器；

通過(guò)光刻膠用摻雜劑注入所述電阻器，所述光刻膠覆蓋所述偽柵極并且通過(guò)孔暴露出所述電阻器；

去除所述光刻膠；

在經(jīng)注入的所述電阻器和所述偽柵極的上方形成第一層間介電(ILD)層；

使所述第一ILD層平坦化從而暴露出所述偽柵極和經(jīng)注入的所述電阻器；

濕法蝕刻所述偽柵極以去除所述偽柵極；

在所述晶體管器件區(qū)上方形成金屬柵極從而替換所述偽柵極；

在經(jīng)注入的所述電阻器和所述金屬柵極的上方形成第二層間介電(ILD)層；以及

通過(guò)所述第二ILD層在所述金屬柵極上方形成第一接觸件以及通過(guò)所述第二ILD層在所述電阻器上方形成第二接觸件。