[發明專利]顯示面板、制造該顯示面板的方法和玻璃料組合物有效
| 申請號: | 201210133042.3 | 申請日: | 2012-04-28 |
| 公開(公告)號: | CN102856344A | 公開(公告)日: | 2013-01-02 |
| 發明(設計)人: | 丁善英;全震煥;宋昇勇;文智永 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;C03C4/00;G09F9/33 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 王占杰;韓芳 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 制造 方法 玻璃 組合 | ||
1.一種顯示面板,所述顯示面板包括:
第一基底;
第二基底,面對所述第一基底;以及
玻璃料,將所述第一基底和所述第二基底結合在一起,
其中,對于760nm至860nm的波長范圍內的任何一個波長的激光,所述玻璃料具有大于0.0683/μm的光密度。
2.根據權利要求1所述的顯示面板,其中,當所述玻璃料的最大寬度為D時,當所述玻璃料接觸所述第一基底的區域中的玻璃料的寬度為d1時,當所述玻璃料接觸所述第二基底的區域中的玻璃料的寬度為d2時,并且當將d1和d2中的較小值定義為所述玻璃料的密封寬度時,所述玻璃料的密封寬度與D的比為0.7或更大。
3.根據權利要求1所述的顯示面板,其中,當所述玻璃料接觸所述第一基底的區域中的玻璃料的寬度為d1時,當所述玻璃料接觸所述第二基底的區域中的玻璃料的寬度為d2時,并且當將d1和d2中的較小值定義為所述玻璃料的密封寬度時,所述玻璃料的密封寬度為420μm至600μm。
4.根據權利要求1所述的顯示面板,其中,所述玻璃料包括釩基母玻璃。
5.根據權利要求4所述的顯示面板,其中,所述玻璃料包括40摩爾%至50摩爾%的V2O5。
6.根據權利要求5所述的顯示面板,其中,所述玻璃料還包括V2O4。
7.根據權利要求6所述的顯示面板,其中,所述玻璃料在顏色上呈褐色。
8.根據權利要求4所述的顯示面板,其中,所述玻璃料還包括填料和顏料,所述顏料包含從由MnO、MnO2和Mn3O4組成的組中選擇的一種或多種材料。
9.根據權利要求1所述的顯示面板,其中,所述玻璃料包括鉍基母玻璃,并且所述玻璃料具有0.1567/μm或更大的光密度。
10.根據權利要求9所述的顯示面板,其中,所述玻璃料包括填料和顏料,所述顏料包含從由MnO、MnO2和Mn3O4組成的組中選擇的一種或多種材料。
11.根據權利要求10所述的顯示面板,其中,所述顏料的含量為9.9摩爾%至11.01摩爾%。
12.根據權利要求11所述的顯示面板,其中,所述玻璃料包括30摩爾%至45摩爾%的Bi2O3。
13.一種制造顯示面板的方法,所述方法包括:
準備第一基底和第二基底;
將對于810nm的波長的激光具有大于0.0683/μm的光密度的玻璃料組合物涂覆在所述第二基底上;
將所述第一基底堆疊在所述玻璃料組合物上;以及
通過向所述玻璃料組合物照射810nm的波長的激光來燒結所述玻璃料組合物。
14.根據權利要求13所述的方法,其中,利用12.5W至13.0W的功率執行照射激光的步驟。
15.根據權利要求13所述的方法,其中,所述玻璃料組合物包括釩基母玻璃,并且所述方法還包括:在涂覆所述玻璃料組合物之后,在300℃至500℃的溫度下并在含有30體積%至40體積%的N2的氣氛中的工作空間中將所述玻璃料組合物塑化。
16.根據權利要求13所述的方法,其中,所述玻璃料組合物包括鉍基母玻璃,在涂覆玻璃料組合物的步驟中,將對于810nm的波長的激光具有0.1567/μm或更大的光密度的玻璃料組合物涂覆在所述第二基底上。
17.一種玻璃料組合物,所述玻璃料組合物包括母玻璃和填料,并且對于810nm的波長的激光具有大于0.0683/μm的光密度。
18.根據權利要求17所述的玻璃料組合物,其中,所述母玻璃是包含V2O5的釩基母玻璃,并且所述玻璃料組合物中的V2O5的含量為40摩爾%至50摩爾%。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





