[發明專利]有機EL顯示裝置的制造方法有效
| 申請號: | 201210130431.0 | 申請日: | 2012-04-28 |
| 公開(公告)號: | CN102760698A | 公開(公告)日: | 2012-10-31 |
| 發明(設計)人: | 和泉望;大久保顯治;廣木知之;佐藤信彥 | 申請(專利權)人: | 佳能株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77;H01L51/56 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 康建忠 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 el 顯示裝置 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及包括多個有機電致發光(EL)元件的有機EL顯示裝置的制造方法。
背景技術
作為一種平板型顯示器,自發射型的有機EL顯示裝置受到關注。有機EL顯示裝置指的是使用有機EL元件作為顯示元件的顯示裝置,該有機EL元件包含一對電極和電極之間的有機化合物層。為了顯示彩色圖像,有機EL顯示裝置可具有其中組合發射白光的有機EL元件和用于不同的顏色的濾色器的結構或其中布置有發射諸如紅色、綠色和藍色的不同顏色的光的多種類型的有機EL元件的結構。
在包括多種類型的有機EL元件的有機EL顯示裝置中,對于不同類型的有機EL元件形成不同的有機化合物層。因此,使用金屬掩模通過真空氣相沉積在預定的位置選擇性地形成各有機化合物層。
當前,由于高清晰度顯示裝置正越來越多地被開發,因此要求以高精度形成這種有機化合物層。但是,使用金屬掩模的真空氣相沉積具有例如關于金屬掩模形成時的加工精度和源自在氣相沉積期間產生的輻射熱的金屬掩模的畸變的問題,并且,這些問題使得難以制造高清晰度顯示裝置。
為了以高的精度選擇性地形成有機化合物層,日本專利公開No.2003-36971公開了用于通過光刻法將有機化合物層圖案化的方法。具體而言,通過涂敷在基板的整個表面上形成第一發光層,然后在第一發光層上形成光致抗蝕劑層(釋放層(release?layer))。光致抗蝕劑層通過光刻法被圖案化以保留于將形成第一發光層的區域中,然后通過使用光致抗蝕劑層作為掩模將第一發光層圖案化。隨后,通過在其上設置被圖案化的第一發光層的基板的整個表面上涂敷以形成第二發光層。然后,光致抗蝕劑層和第二發光層的疊置于光致抗蝕劑層上面的部分被一起分離(剝離)。在該處理中,可以以高精度選擇性地形成發射相互不同的色調的第一和第二發光層。
在日本專利公開No.2003-36971中,通過旋涂在基板的整個表面上形成第二發光層。因此,第二發光層連續地覆蓋光致抗蝕劑層的整個表面。但是,當基板被浸入用于溶解光致抗蝕劑層的溶液中以便剝離第二發光層和光致抗蝕劑層時,溶液通過第二發光層的缺陷進入或者穿透第二發光層以到達釋放層。因此,用于溶解光致抗蝕劑層的溶液不能高效地與釋放層接觸以穩定地溶解釋放層。這導致節拍時間(tact?time)增加和產率降低。
發明內容
因此,本發明提供了用于以高的產率制造高清晰度有機EL顯示裝置的方法。
該方法制造包括多個有機EL元件的有機EL顯示裝置,每個有機EL元件包含第一電極和第二電極以及第一電極與第二電極之間的有機化合物層。該方法包括:在其上設置第一電極的基板之上形成第一有機化合物層;在該第一有機化合物層上形成釋放層;將該釋放層和第一有機化合物層去除為保留于第一電極中的特定的一個或更多個上;在釋放層和第一有機化合物層保留于其上的基板之上通過氣相沉積形成第二有機化合物層;通過溶解釋放層去除第二有機化合物層的疊置于釋放層上面的部分;并且在保留于基板上的第一有機化合物層和第二有機化合物層上形成第二電極。
在本發明的有機EL顯示裝置的制造方法中,通過作為允許材料的蒸汽直進的技術的真空氣相沉積形成第二有機化合物層。因此,有機化合物層的材料幾乎不沉積于釋放層的側面上。因此,釋放層可以確定地與溶解液接觸以穩定性地溶解釋放層,從而可以以高的產率制造有機EL顯示裝置。
參照附圖閱讀示例性實施例的以下說明,本發明的其它特征將變得清晰。
附圖說明
圖1A~1G是示出根據本發明的第一實施例和例子1的有機EL顯示裝置的制造方法的截面圖。
圖2A~2H是示出根據本發明的第二實施例的有機EL顯示裝置的制造方法的截面圖。
圖3A~3H是示出根據本發明的第三實施例的有機EL顯示裝置的制造方法的截面圖。
圖4A~4M是示出根據本發明的第四實施例和例子2的有機EL顯示裝置的制造方法的截面圖。
圖5是例子1的有機EL顯示裝置的示意性頂視圖。
圖6是例子2的有機EL顯示裝置的示意性頂視圖。
具體實施方式
現在將參照附圖描述本發明的一些實施例。可通過現有技術中已知的技術形成圖中沒有示出或者這里沒有描述的顯示裝置的部分。以下的實施例是本發明的一些形式,并且不限制本發明。
第一實施例
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于佳能株式會社,未經佳能株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210130431.0/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:用于控制烹飪過程的方法
- 下一篇:釩電池
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





