[發明專利]金屬硅化物層的制造方法

在審

• 申請號: 201210129967.0
• 申請日: 2012-04-27
• 公開（公告）號: CN103377900A
• 公開（公告）日: 2013-10-30
• 發明（設計）人: 盧澤一;簡志明;姚立人
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/283;H01L21/336
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種金屬硅化物層的制造方法，應用于一半導體元件制作工藝中，其方法包含下列步驟：

提供一硅基底，其中該硅基底的一表面上已形成有一圖案化疊合結構，該疊合結構包括依序形成在該硅基底上的一硅層與一第一覆蓋層；

形成一第二覆蓋層覆蓋未被該圖案化疊合結構覆蓋的該硅基底的部分該表面，其中該第二覆蓋層與該第一覆蓋層為不同材料；

去除該第一覆蓋層以暴露出該硅層；

在該硅層上形成一第一金屬硅化物層；

去除該第二覆蓋層，以暴露出部分的該表面；以及

在暴露出的部分該表面上形成一第二金屬硅化物層。

2.如權利要求1所述的金屬硅化物層的制造方法，其中在形成該圖案化疊合結構之前，還包含形成一第一介電層覆蓋該硅基底的該表面。

3.如權利要求2所述的金屬硅化物層的制造方法，其中在去除該第一覆蓋層前，還包含：

形成一第二介電層覆蓋該第一介電層與該圖案化疊合結構；以及

回蝕部分的該第二介電層與該第一介電層，以于該圖案化疊合結構兩側形成一側壁，并露出該硅基底的部分該表面。

4.如權利要求2所述的金屬硅化物層的制造方法，其中形成該第一介電層的方法包括熱氧化法或化學氣相沉積法。

5.如權利要求3所述的金屬硅化物層的制造方法，其中該第二介電層的材質包括二氧化硅。

6.如權利要求1所述的金屬硅化物層的制造方法，其中該第一覆蓋層的材質包括硅氮化物。

7.如權利要求1所述的金屬硅化物層的制造方法，其中在移除該第二覆蓋層之前還包含：

在該圖案化疊合結構兩側的該硅基底內形成一摻雜區；以及

對該摻雜區進行一高溫退火處理制作工藝。

8.如權利要求7所述的金屬硅化物層的制造方法，還包括在該高溫退火處理制作工藝中通入氧氣，以熱氧化法在該摻雜區表面上形成該第二覆蓋層。

9.如權利要求1所述的金屬硅化物層的制造方法，其中形成該第一金屬硅化物層的方法包含于該硅層上形成一第一金屬層，以使該第一金屬層與該硅層反應生成該第一金屬硅化物層。

10.如權利要求9所述的金屬硅化物層的制造方法，其中在形成該第一金屬層之后還包含對該第一金屬層進行兩次退火制作工藝，以形成該第一金屬硅化物層。

11.如權利要求1所述的金屬硅化物層的制造方法，其中形成該第二金屬硅化物層的方法包含于該硅基底的該表面上形成一第二金屬層，以使該第二金屬層與該硅基底反應生成該第二金屬硅化物層。

12.如權利要求11所述的金屬硅化物層的制造方法，其中在形成該第一金屬層之后還包含對該第二金屬層進行兩次退火制作工藝。

13.如權利要求1所述的金屬硅化物層的制造方法，其中該第二金屬硅化物層的厚度與該第一金屬硅化物層的厚度不同。

14.如權利要求13所述的金屬硅化物層的制造方法，其中該第二金屬硅化物層的厚度小于該第一金屬硅化物層的厚度。