[發明專利]形成開口的方法

有效

• 申請號: 201210129107.7
• 申請日: 2012-04-27
• 公開（公告）號: CN103377885A
• 公開（公告）日: 2013-10-30
• 發明（設計）人: 陳逸男;徐文吉;葉紹文;劉獻文
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

技術領域

本發明是涉及一種形成開口的方法，特別是涉及一種在基板中形成平滑邊緣開口的方法。

背景技術

在現代的資訊社會中，由集成電路(integrated?circuit，IC)所構成的微處理系統早已被普遍運用在生活的各個層面，例如自動控制的家電用品、行動通訊設備、個人計算機等，都有集成電路的使用。而隨著科技的日益精進，以及人類社會對于電子產品的各種想象，使得集成電路也往更多元、更精密、更小型的方向發展。

在半導體制作工藝上，為了將集成電路的圖案順利地轉移到半導體芯片上，必須先將電路圖案設計于一光掩膜布局圖上，然后根據光掩膜布局圖所輸出的掩膜圖案(photomask?pattern)來制作一光掩膜，并且將光掩膜上的圖案以一定的比例轉移到該半導體芯片上，也就是所謂的光刻技術(lithography)。在現有的光刻技術中常會遇到許多問題。舉例來說，為了避免在光刻工藝中光波的反射而形成駐波現象，在形成光致抗蝕劑之前還會在基板上形成一抗反射層(anti?reflective?coating，ARC)。在現有的技術中，將光致抗蝕劑的圖案轉移到抗反射層時，圖案常會出現偏差，例如會出現鋸齒狀邊緣的結構。通常這樣的結構也會一并轉移到基板上，使得基板蝕刻后的圖形也出現鋸齒狀邊緣，而影響了元件的品質。

因此，還需要一種新穎的光刻技術，以解決上述問題。

發明內容

本發明于是提供一種在基板上形成開口的方法，能避免前述形成鋸齒狀邊緣的開口，而能形成平滑邊緣的開口。

根據本發明的一個實施方式，本發明提供了一種形成開口的方法。首先提供一基板，然后在基板上依次形成抗反射層以及光致抗蝕劑層。接著在光致抗蝕劑層中形成第一開口，以及在抗反射層中形成第二開口。后續對第二開口進行一平滑處理步驟。最后通過第一開口與第二開口以圖案化基板，以在基板中形成第三開口。

本發明由于在形成第二開口之后，還提供了一個平滑處理工藝，通過含氟含碳的氣體以消除抗反射層中的鋸齒狀圖形，因此后續在基板中形成的開口同樣具有平滑的圖形，可以得到良好的元件品質。

附圖說明

圖1至圖10所示為本發明形成開口的步驟示意圖。

其中，附圖標記說明如下：

300????基板????????????308??第二開口

302????抗反射層????????310??第三開口

304????光致抗蝕劑??????A????鋸齒狀邊緣

306????第一開口????????B????平滑邊緣

具體實施方式

為使本發明所屬技術領域的技術人員能進一步了解本發明，以下的說明舉出了本發明幾個優選實施方式，并配合附圖與說明，以詳細說明本發明的內容及所欲實現的效果。

請參考圖1至圖10，所示為本發明形成開口的步驟示意圖，其中圖4、圖6與圖9為上視圖，而圖5、圖7與圖10則分別為圖4、圖6與圖9的剖面圖。如圖1所示，首先提供一基板300。基板300可以包含具有半導體材料的基底，例如是硅基底(silicon?substrate)、外延硅基底(epitaxial?silicon?substrate)、硅鍺半導體基底(silicon?germanium?substrate)、碳化硅基底(silicon?carbide?substrate)或硅覆絕緣基底(silicon-on-insulator?substrate，SOI?substrate)，也可以包含具有非半導體材料基底，例如是玻璃基底(glass?substrate)，后續可以在其上形成具有薄膜晶體管(thin-film-transistor)的顯示裝置，或是熔融石英塊(fused?quartz)，后續可以在其上形成光掩膜。而在另一實施例中，基板300可以包含不同的摻雜區(doping?region)、一層或多層的介電層(dielectric?layer)或多層金屬內連線系統(metal?interconnection?system)，并具有一個或多個微電子元件設置在這些介電層中，例如是互補式金屬氧化物半導體(complementary?metal?oxide?semiconductor，CMOS)晶體管或是感光元件晶體管(photo-diode)等。任何可以在后續通過光刻工藝來形成圖案化的基底材質，都可以作為本發明的基板300。