[發明專利]CMOS圖像傳感器有效
| 申請號： | 201210127031.4 | 申請日： | 2012-04-27 |
| 公開（公告）號： | CN102637714A | 公開（公告）日： | 2012-08-15 |
| 發明（設計）人： | 田犁;陳杰;汪輝;苗田樂;方娜 | 申請（專利權）人： | 上海中科高等研究院 |
| 主分類號： | H01L27/146 | 分類號： | H01L27/146;G02F1/133 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所 31219 | 代理人： | 李儀萍 |
| 地址： | 201210 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | cmos 圖像傳感器 | ||
1.一種CMOS圖像傳感器，其特征在于，至少包括：
光通斷結構，包括：
第一偏振片；
液晶光導結構，包括結合于所述第一偏振片的第一透明導電層、結合于所述第一透明導電層的液晶層以及結合于所述液晶層的第二透明導電層，所述述第一、第二透明導電層用于施加電壓以控制所述液晶層的排列方向；
第二偏振片，結合于所述液晶光導結構，其偏振方向與所述第一偏振片的偏振方向具有相位差；
像素結構，包括結合于所述光通斷結構的感光元件及連接于所述感光元件的像素讀出電路，用于將所述感光元件產生的電信號進行讀出。
2.根據權利要求1所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于：所述第一偏振片和所述第二偏振片的相位差為90度。
3.根據權利要求1所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于：所述CMOS圖像傳感器還包括一連接于所述第一、第二透明導電層的電壓控制裝置，用于控制所述第一、第二透明導電層的電壓，以控制所述感光元件上光的通斷時間。
4.根據權利要求3所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于：所述電壓控制裝置的電壓輸出范圍為0～5V。
5.根據權利要求1所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于：所述感光元件為光門、PN型光電二極管或PIN型光電二極管。
6.根據權利要求1所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于：所述第一透明導電層及第二透明導電層的材料為氧化銦錫、銻摻雜氧化錫、氟摻雜氧化錫或鋁摻雜氧化鋅。
7.根據權利要求1所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于：所述液晶層的材料為向列相液晶。
8.根據權利要求7所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于：所述液晶層的材料為扭曲向列相液晶或超扭曲向列型液晶。
9.根據權利要求1所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于：所述像素讀出電路為4T型結構或5T型結構的像素讀出電路。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
