[發明專利]基于光子晶體濾波片的微流控芯片熒光檢測系統

有效

• 申請號: 201210126065.1
• 申請日: 2012-04-26
• 公開（公告）號: CN102628805A
• 公開（公告）日: 2012-08-08
• 發明（設計）人: 曹暾
• 申請（專利權）人: 大連理工大學
• 主分類號: G01N21/64
• 分類號: G01N21/64;G01N21/01
• 代理公司: 大連理工大學專利中心 21200
• 代理人: 梅洪玉

1.一種基于光子晶體濾波片的微流控芯片熒光檢測系統，包括激發光源、微流控芯片、光纖、光電探測器、高壓電源和計算機；其特征在于：所述激發光源采用光子晶體濾波片集成發光二極管(LED)，所述光電探測器采用光子晶體濾波片集成光電二極管(PD)，光子晶體濾波片集成LED激發光源和PD探測器結構是在襯底上先生長一層2μm的基于III-V族半導體材料的n型層，再生長一層反光層，然后生長一層基于III-V族半導體材料的有源層，最后生長一層200-300nm厚的基于III-V族半導體材料的p型層；最后通過刻蝕工藝，在p型層刻蝕出平板光子晶體濾波片圖樣。

2.根據權利要求1所述的基于光子晶體濾波片的微流控芯片熒光檢測系統，其特征在于，所述的III-V族半導體材料層是內部結構具有單向導電性的磷化鎵、鎵鋁砷、砷化鎵、氮化鎵。

3.根據權利要求1所述的基于光子晶體濾波片的微流控芯片熒光檢測系統，其特征在于，所述的光子晶體的圖案是矩形、方形、圓形、橢圓形；光子晶體孔寬度為20納米至10微米，高度在60納米至10厘米。

4.根據權利要求1所述的基于光子晶體濾波片的微流控芯片熒光檢測系統，其特征在于，所述的有源層結構是n個周期的InGaN/GaN量子阱或量子點結構，其中n不小于4。

5.根據權利要求1或2或3或4所述的基于光子晶體濾波片的微流控芯片熒光檢測系統，其特征在于，反光層是金屬層或分布式布拉格反射鏡(DBR)。

6.根據權利要求1或2或3或4所述的基于光子晶體濾波片的微流控芯片熒光檢測系統，其特征在于，所述的襯底采用晶體材料、有機材料。

7.根據權利要求5所述的基于光子晶體濾波片的微流控芯片熒光檢測系統，其特征在于，金屬層的金屬是指Al、Ag、Au、Cu。?

8.根據權利要求6所述的基于光子晶體濾波片的微流控芯片熒光檢測系統，其特征在于，晶體材料包括硅、砷化鎵、磷化銦、藍寶石。?