[發(fā)明專利]冶金級(jí)單晶以及類單晶硅的絨面制備方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210123816.4
• 申請(qǐng)日: 2012-04-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102810596A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-12-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊華;余義;宋光華;李莊
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上澎太陽(yáng)能科技(嘉興)有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18;C30B33/10
• 代理公司: 上海勝康律師事務(wù)所 31263
• 代理人: 李獻(xiàn)忠

1.冶金級(jí)單晶以及類單晶硅的絨面制備方法，所述方法包括常規(guī)制絨過(guò)程，其特征在于，所述方法還包括在所述常規(guī)制絨過(guò)程之前設(shè)置有預(yù)處理過(guò)程。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述預(yù)處理過(guò)程為將清洗后待制絨的硅片置于盛有預(yù)處理液的預(yù)處理槽中。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述預(yù)處理液包括堿性物質(zhì)和氧化劑混合物。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述預(yù)處理液包括去離子水。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所示的方法，其特征在于，所述堿性物質(zhì)的質(zhì)量百分比濃度在0.5％-10％之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所示的方法，其特征在于，所述氧化劑的質(zhì)量百分比濃度在2.5％-8％之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述堿性物質(zhì)選自氫氧化鈉，氫氧化鉀，氨水或硫酸氫鈉。

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述氧化劑選自雙氧水或臭氧。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述預(yù)處理過(guò)程的工作溫度為30-60℃。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述預(yù)處理過(guò)程持續(xù)時(shí)間為30秒到15分鐘之間。

11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述預(yù)處理液為氫氧化鉀，雙氧水以及去離子水的混合物。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述氫氧化鉀的質(zhì)量百分比濃度為0.5％-10％，所述雙氧水的質(zhì)量百分比濃度為2.5％-8％，所述去離子水的質(zhì)量百分比濃度為82％-97％。

13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的方法，其特征在于，在工作溫度為30-60℃的條件下，將所述待制絨的硅片置于盛有所述預(yù)處理液的預(yù)處理槽中30秒到15分鐘。