[發(fā)明專利]基板處理裝置和基板處理方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210123625.8
• 申請日: 2008-03-19
• 公開（公告）號: CN102637622A
• 公開（公告）日: 2012-08-15
• 發(fā)明（設計）人: 山涌純;守屋剛
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/67;H01J37/32
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;李巍

1.一種基板處理裝置，其具有容納基板的處理室并且利用所述處理室中產生的等離子體對容納于處理室中的所述基板進行等離子體處理，所述基板處理裝置包括：

噴射機構，適于從所述處理室的側壁朝向面向所述等離子體的處理室內部件的至少一部分噴射控溫氣體。

2.如權利要求1所述的基板處理裝置，其中所述噴射機構包括噴射所述控溫氣體的噴嘴。

3.如權利要求1或2所述的基板處理裝置，其中所述噴射機構包括測量所述處理室內部件的溫度的溫度測量裝置。

4.如權利要求1或2所述的基板處理裝置，其中所述處理室內部件是環(huán)形聚焦環(huán)，其設置在置于所述處理室中的安裝臺上以便圍繞安裝在所述安裝臺上的所述基板的外周部。

5.如權利要求1或2所述的基板處理裝置，其中所述控溫氣體是高溫氣體。

6.一種通過基板處理裝置執(zhí)行的基板處理方法，所述基板處理裝置具有容納基板的處理室并且利用所述處理室中產生的等離子體對容納于處理室中的所述基板進行等離子體處理，所述方法包括：

在將所述基板容納于所述處理室中之前，從所述處理室的側壁朝向面向所述等離子體的處理室內部件的至少一部分噴射控溫氣體的噴射步驟。

7.如權利要求6所述的基板處理方法，其中所述噴射步驟包括測量所述處理室內部件的溫度的測量步驟。

8.如權利要求6或7所述的基板處理方法，還包括在執(zhí)行所述噴射步驟之前，將所述處理室中的壓力控制在665至1330帕(5至10托)的壓力控制步驟。

9.如權利要求6或7所述的基板處理方法，還包括在執(zhí)行所述噴射步驟之后并在將所述基板容納于所述處理室中之前，將在所述噴射步驟中已被噴射控溫氣體的所述處理室內部件放置至少一秒鐘的放置步驟。

10.如權利要求6或7所述的基板處理方法，其中所述處理室內部件是環(huán)形聚焦環(huán)，其設置在置于所述處理室中的安裝臺上以便圍繞安裝在所述安裝臺上的所述基板的外周部。

11.如權利要求6或7所述的基板處理方法，其中所述控溫氣體是高溫氣體。