[發(fā)明專利]一種基于埋層氮化物陶瓷墊底的絕緣體上硅材料制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210122701.3
• 申請日: 2012-04-25
• 公開（公告）號: CN102623387A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 亢勇;陳邦明;張峰;曹共柏
• 申請（專利權(quán)）人: 上海新儲集成電路有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 上海麥其知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31257
• 代理人: 董紅曼

1.一種基于埋層氮化物陶瓷墊底的絕緣體上硅材料制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一：選用初始硅片（1）；

步驟二：將氮化物粉末燒結(jié)壓制成氮化物陶瓷墊底（3）；?

步驟三：在所述初始硅片（1）或氮化物陶瓷墊底（3）上生成鍵合過渡層（2）；

步驟四：通過所述鍵合過渡層（2）將所述初始硅片（1）與氮化物陶瓷墊底（3）進(jìn)行鍵合，得到所述基于埋層氮化物陶瓷墊底的絕緣體上硅材料（4）；

步驟五：對所述基于埋層氮化物陶瓷墊底的絕緣體上硅材料（4）進(jìn)行剝離處理，得到基于埋層氮化物陶瓷墊底的絕緣體上硅片（5）。

2.如權(quán)利要求1所述基于埋層氮化物陶瓷墊底的絕緣體上硅材料制備方法，其特征在于，進(jìn)一步包括：

步驟六：將所述基于埋層氮化物陶瓷墊底的絕緣體上硅片（5）進(jìn)行拋光處理。

3.如權(quán)利要求1所述基于埋層氮化物陶瓷墊底的絕緣體上硅材料制備方法，其特征在于，所述初始硅片（1）為標(biāo)準(zhǔn)單晶硅片或多晶硅片，直徑為2-12英寸，晶圓厚度符合固態(tài)技術(shù)協(xié)會標(biāo)準(zhǔn)。

4.如權(quán)利要求1所述基于埋層氮化物陶瓷墊底的絕緣體上硅材料制備方法，其特征在于，所述步驟二中，所述氮化物粉末包括氮化鋁、立方氮化硼；所述氮化物粉末通過粉末燒結(jié)壓片機(jī)進(jìn)行燒結(jié)壓制，形成所述氮化物陶瓷墊底（3）。

5.如權(quán)利要求4所述基于埋層氮化物陶瓷墊底的絕緣體上硅材料制備方法，其特征在于，所述粉末燒結(jié)壓片機(jī)的直徑與所述初始硅片（1）的直徑相同。

6.如權(quán)利要求1所述基于埋層氮化物陶瓷墊底的絕緣體上硅材料制備方法，其特征在于，所述步驟三中生成所述鍵合過渡層（2）的方法包括旋涂玻璃方法、化學(xué)氣相沉積方法、物理沉積方法、熱氧化方法；所述鍵合過渡層（2）的厚度為1-100nm，所述鍵合過渡層（2）的材料包括二氧化硅、三氧化二鋁。

7.如權(quán)利要求1所述基于埋層氮化物陶瓷墊底的絕緣體上硅材料制備方法，其特征在于，所述步驟四中通過使用晶圓鍵合機(jī)完成所述初始硅片（1）與氮化物陶瓷墊底（3）的鍵合；所述鍵合包括疏水鍵合、親水鍵合或等離子輔助鍵合。

8.如權(quán)利要求7所述基于埋層氮化物陶瓷墊底的絕緣體上硅材料制備方法，其特征在于，在所述步驟四中的鍵合后，還進(jìn)一步包括熱處理加固操作。

9.如權(quán)利要求1所述基于埋層氮化物陶瓷墊底的絕緣體上硅材料制備方法，其特征在于，所述步驟五中，所述剝離方法包括注氫智能剝離方法或者研磨硅片的方法。

10.如權(quán)利要求1所述基于埋層氮化物陶瓷墊底的絕緣體上硅材料制備方法，其特征在于，所述步驟六中，所述拋光處理包括研磨處理、腐蝕處理或者化學(xué)機(jī)械拋光處理。