[發明專利]外延結構體

有效

• 申請號: 201210122545.0
• 申請日: 2012-04-25
• 公開（公告）號: CN103378239A
• 公開（公告）日: 2013-10-30
• 發明（設計）人: 魏洋;范守善
• 申請（專利權）人: 清華大學;鴻富錦精密工業（深圳）有限公司
• 主分類號: H01L33/02
• 分類號: H01L33/02;H01L33/12;H01L33/00;H01L21/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種外延結構體，其包括：

一基底，該基底具有一外延生長面；

一第一外延層，所述第一外延層設置于所述基底的外延生長面；

一第二外延層，所述第二外延層設置于所述第一外延層遠離基底的表面；

其特征在于，進一步包括一石墨烯層設置于所述第一外延層與第二外延層之間。

2.如權利要求1所述的外延結構體，其特征在于，所述石墨烯層僅包括石墨烯材料。

3.如權利要求1所述的外延結構體，其特征在于，所述石墨烯層為一單層石墨烯或多個石墨烯組成的連續的整體結構。

4.如權利要求1所述的外延結構體，其特征在于，所述石墨烯層的厚度為1納米~100微米。

5.如權利要求1所述的外延結構體，其特征在于，所述石墨烯層為一個碳原子厚度。

6.如權利要求1所述的外延結構體，其特征在于，所述石墨烯層為分散的石墨烯粉末。

7.如權利要求1所述的外延結構體，其特征在于，所述石墨烯層為由石墨烯粉末組成的整體結構。

8.如權利要求1所述的外延結構體，其特征在于，所述石墨烯層具有多個空隙，所述第二外延層覆蓋所述石墨烯層設置，并滲透石墨烯層的空隙與所述第一外延層的表面接觸。

9.如權利要求8所述的外延結構體，其特征在于，所述空隙的尺寸為10納米~120微米，所述石墨烯層的占空比為1:4~4:1。

10.如權利要求1所述的外延結構體，其特征在于，所述石墨烯層為一具有多個空隙的連續整體結構。

11.如權利要求10所述的外延結構體，其特征在于，所述多個空隙的形狀為圓形、方形、三角形、菱形或矩形。

12.如權利要求11所述的外延結構體，其特征在于，所述圖案化的石墨烯層為多個間隔設置的條形石墨烯，且相鄰兩個條形石墨烯之間形成空隙。

13.如權利要求1所述的外延結構體，其特征在于，所述第二外延層在與所述第一外延層接觸的表面形成多個孔洞，所述石墨烯層設置于該孔洞內。

14.如權利要求1所述的外延結構體，其特征在于，所述第二外延層為一半導體外延層、金屬外延層或合金外延層。

15.如權利要求11所述的外延結構體，其特征在于，所述第二外延層的材料為GaMnAs、GaAlAs、GaInAs、GaAs、SiGe、InP、Si、AlN、GaN、GaInN、AlInN、GaAlN或AlGaInN。

16.如權利要求1所述的外延結構體，其特征在于，進一步包括一石墨烯層夾持于基底與第一外延層之間。

17.一種外延結構體，其包括：一基底，該基底具有一外延生長面，以及一第一外延層、一第二外延層依次層疊設置于所述基底的外延生長面，其特征在于，進一步包括一圖案化的單層石墨烯薄膜設置于所述第一外延層與第二外延層之間，所述圖案化的單層石墨烯薄膜具有多個空隙，所述第二外延層滲透石墨烯層的多個空隙與所述第一外延層的表面接觸。