[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210120933.5 | 申請日： | 2012-04-23 |
| 公開（公告）號： | CN102760712A | 公開（公告）日： | 2012-10-31 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 林子閎;許文松;陳泰宇 | 申請（專利權(quán)）人： | 聯(lián)發(fā)科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/48 | 分類號： | H01L23/48;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京萬慧達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11111 | 代理人： | 于淼;楊穎 |
| 地址： | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 封裝 | ||
1.一種半導(dǎo)體封裝，包括：
半導(dǎo)體芯片；以及
第一導(dǎo)電凸塊和第二導(dǎo)電凸塊，分別設(shè)置于所述半導(dǎo)體芯片上，其中所述第一導(dǎo)電凸塊和所述第二導(dǎo)電凸塊的上視面積比值大于1且小于或等于3。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述半導(dǎo)體芯片具有中間區(qū)域和圍繞所述中間區(qū)域的周圍區(qū)域，且其中所述第一導(dǎo)電凸塊設(shè)置于所述半導(dǎo)體芯片的所述中間區(qū)域，且所述第二導(dǎo)電凸塊設(shè)置于所述半導(dǎo)體芯片的所述周圍區(qū)域。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述半導(dǎo)體芯片具有中間區(qū)域和圍繞所述中間區(qū)域的周圍區(qū)域，且其中所述第一導(dǎo)電凸塊設(shè)置于所述半導(dǎo)體芯片的所述周圍區(qū)域，且所述第二導(dǎo)電凸塊設(shè)置于所述半導(dǎo)體芯片的所述中間區(qū)域。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述第一導(dǎo)電凸塊和所述第二導(dǎo)電凸塊交錯設(shè)置于所述半導(dǎo)體芯片上。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述第一導(dǎo)電凸塊和所述第二導(dǎo)電凸塊任意設(shè)置于所述半導(dǎo)體芯片上。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述第一導(dǎo)電凸塊的上視形狀為圓形。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述第二導(dǎo)電凸塊的上視形狀為矩形。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述第一導(dǎo)電凸塊連接所述半導(dǎo)體芯片的電源墊或接地墊。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述第二導(dǎo)電凸塊連接所述半導(dǎo)體芯片的信號墊。
10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，更包括：
第一凸塊下金屬層圖案，設(shè)置于所述半導(dǎo)體芯片和所述第一導(dǎo)電凸塊之間；以及
第二凸塊下金屬層圖案，設(shè)置于所述半導(dǎo)體芯片和所述第二導(dǎo)電凸塊之間。
11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述第一凸塊下金屬層圖案的上視形狀為圓形。
12.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述第二凸塊下金屬層圖案的上視形狀為矩形。
13.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，更包括：
第一導(dǎo)電柱狀物，連接所述第一凸塊下金屬層圖案和所述第一導(dǎo)電凸塊，且位于所述第一凸塊下金屬層圖案和所述第一導(dǎo)電凸塊之間；以及
第二導(dǎo)電柱狀物，連接所述第二凸塊下金屬層圖案和所述第二導(dǎo)電凸塊，且位于所述第二凸塊下金屬層圖案和所述第二導(dǎo)電凸塊之間。
14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述第一導(dǎo)電柱狀物的上視形狀為圓形。
15.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述第二導(dǎo)電柱狀物的上視形狀為矩形。
16.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述第一導(dǎo)電柱狀物和所述第二導(dǎo)電柱狀物的上視面積比值大于1且小于或等于3。
17.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，更包括基板，其上具有多個導(dǎo)線，其中所述第一導(dǎo)電凸塊和所述第二導(dǎo)電凸塊分別接合至所述多個導(dǎo)線上。
18.如權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，更包括：
阻焊層，設(shè)置于所述基板上，且位于所述基板和所述半導(dǎo)體芯片之間的重疊區(qū)域之外；以及
底部填充材料，填滿所述基板和所述半導(dǎo)體芯片之間的間隙，且覆蓋所述阻焊層。
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