[發明專利]P-LDMOS的制造方法無效
| 申請號： | 201210113712.5 | 申請日： | 2012-04-17 |
| 公開（公告）號： | CN102623352A | 公開（公告）日： | 2012-08-01 |
| 發明（設計）人： | 葛洪濤;黃曉櫓 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陸花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | ldmos 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種P-LDMOS的制造方法，其特征在于，包括：
提供襯底，在所述襯底上形成深N阱；
在所述襯底以及深N阱中形成隔離結構；
在所述深N阱內形成P阱，在所述襯底中形成N阱；
在所述襯底上形成柵極；
進行源漏輕摻雜工藝，在所述N阱和P阱內分別形成源極輕摻雜區和漏極輕摻雜區；
在所述柵極側壁形成柵極側墻；
進行源漏重摻雜以及退火工藝。
2.如權利要求1所述的P-LDMOS的制造方法，其特征在于，所述隔離結構通過淺溝道隔離工藝形成。
3.如權利要求1所述的P-LDMOS的制造方法，其特征在于，所述襯底為P型襯底。
4.如權利要求1所述的P-LDMOS的制造方法，其特征在于，所述N阱和P阱通過光刻和離子注入工藝形成。
5.如權利要求1所述的P-LDMOS的制造方法，其特征在于，所述源漏重摻雜工藝中采用P型離子注入。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
