[發(fā)明專(zhuān)利]以SiC晶片作為一級(jí)熱沉的單發(fā)射腔半導(dǎo)體激光器無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210113009.4 | 申請(qǐng)日： | 2012-04-18 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN102709807A | 公開(kāi)（公告）日： | 2012-10-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 徐靖中 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 徐靖中 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01S5/024 | 分類(lèi)號(hào)： | H01S5/024 |
| 代理公司： | 暫無(wú)信息 | 代理人： | 暫無(wú)信息 |
| 地址： | 100044 北京市西*** | 國(guó)省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | sic 晶片 作為 一級(jí) 發(fā)射 半導(dǎo)體激光器 | ||
1.一種以SiC晶片作為一級(jí)熱沉的單發(fā)射腔半導(dǎo)體激光器，其特征在于：所述的單發(fā)射腔半導(dǎo)體激光器包括一級(jí)熱沉1，Au-Sn焊層2(正極)，Au-Sn焊層3(負(fù)極)，芯片4，連接金線(xiàn)5，次級(jí)銅熱沉6，電極引線(xiàn)7。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單發(fā)射腔半導(dǎo)體激光器，其特征在于：所采用的SiC晶片的法向?qū)嵯禂?shù)比氮化鋁提高一倍以上，而平面切向的導(dǎo)熱系數(shù)比氮化鋁提高兩倍以上，且其熱脹系數(shù)與芯片襯底材料的熱脹系數(shù)相近。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單發(fā)射腔半導(dǎo)體激光器，其特征在于：一級(jí)熱沉上表面上沉積互不相連的兩個(gè)Ti/Pt/Au多層膜，經(jīng)加熱熔融后形成正負(fù)電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單發(fā)射腔半導(dǎo)體激光器，其特征在于：激光器芯片P面朝下與一級(jí)熱沉表面的正電極熔接；芯片上表面通過(guò)金線(xiàn)與一級(jí)熱沉負(fù)電極相連。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單發(fā)射腔半導(dǎo)體激光器，其特征在于：采用改進(jìn)的F封裝結(jié)構(gòu)，電極引線(xiàn)直接從+-極Au-Sn焊層引出，減少了電極引線(xiàn)焊接點(diǎn)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單發(fā)射腔半導(dǎo)體激光器，其特征在于：一級(jí)熱沉與次級(jí)銅熱沉焊接，通過(guò)銅熱沉上的螺孔最終與冷板表面固定，形成散熱通路。
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