[發明專利]包括多個諧振結構的裝置和帶有正交抑制的顯微加工的傳感器

有效

• 申請號: 201210111352.5
• 申請日: 2003-02-06
• 公開（公告）號: CN102679969A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發明（設計）人: 約翰·A·吉恩
• 申請（專利權）人: 美國亞德諾半導體公司
• 主分類號: G01C19/5656
• 分類號: G01C19/5656
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 金曉

1.一種帶有正交抑制的顯微加工的傳感器，包括：

正交抑制電極；和

鄰近所述正交抑制電極定位的諧振器質量；

所述諧振器質量能夠與所述正交抑制電極基本平行地移動，所述諧振器質量包括槽口，所述槽口鄰近所述正交抑制電極的一部分而形成，使得直接鄰近所述正交抑制電極的所述諧振器質量的長度隨著所述諧振器質量相對于所述正交抑制電極移動而變化，其中，所述正交抑制電極能夠對所述諧振器質量產生橫向力，所述橫向力根據直接鄰近所述正交抑制電極的所述諧振器質量的長度而變化。

2.根據權利要求1所述的顯微加工的傳感器，其中，所述橫向力是靜電力。

3.根據權利要求1所述的顯微加工的傳感器，還包括被施加于所述正交抑制電極的恒定電壓，其中，所述橫向力與直接鄰近所述正交抑制電極的所述諧振器質量的長度成比例。

4.根據權利要求1所述的顯微加工的傳感器，還包括被施加于所述正交抑制電極的可變電壓，其中，所述橫向力作為直接鄰近所述正交抑制電極的所述諧振器質量的長度和所述可變電壓的函數而變化。

5.根據權利要求1所述的顯微加工的傳感器，還包括：至少一個驅動電極，所述至少一個驅動電極用于使所述諧振器質量與所述正交抑制電極基本平行地移動。

6.一種帶有正交抑制的顯微加工的傳感器，包括：

多個正交抑制電極；和

多個諧振器質量，每個諧振器質量均鄰近所述多個正交抑制電極中的相應一個正交抑制電極定位并能夠與所述諧振器質量的相應正交抑制電極基本平行地移動，每個諧振器質量均包括槽口，所述槽口鄰近所述諧振器質量的相應正交抑制電極的一部分而形成，使得直接鄰近所述正交抑制電極的所述諧振器質量的長度隨著所述諧振器質量相對于所述正交抑制電極移動而變化，其中，每個正交抑制電極均能夠對鄰近的諧振器質量產生橫向力，所述橫向力根據直接鄰近所述正交抑制電極的所述諧振器質量的長度而變化。

7.根據權利要求6所述的顯微加工的傳感器，還包括被施加于所述多個正交抑制電極中的、確定用于減少所述諧振器質量的正交的至少一個正交抑制電極的電壓。

8.根據權利要求6所述的顯微加工的傳感器，其中，所述多個諧振器質量通過多個杠桿、支點和撓性件機械地連接，以產生用于所述多個諧振器質量的基本單一的諧振頻率。

9.根據權利要求8所述的顯微加工的傳感器，其中，所述多個諧振器質量包括：通過撓性件機械地連接的第一對質量；以及通過撓性件機械地連接的第二對質量，其中，所述第一對質量和所述第二對質量彼此反相位地諧振。

10.根據權利要求6所述的顯微加工的傳感器，其中，所述多個諧振器質量通過公共的驅動電路和速度傳感電路而電連接，以便以基本單一的頻率諧振。

11.一種帶有正交抑制的顯微加工的傳感器，包括：

基片；

框架，所述框架通過第一多個懸掛撓性件懸掛于所述基片上方并基本平行于所述基片，所述第一多個懸掛撓性件沿著所述框架的外周布置，所述第一多個懸掛撓性件固定于所述基片并形成為基本防止所述框架在所述框架的平面內相對于所述基片的平移運動，但允許所述框架圍繞與所述框架及所述基片平行的軸線的旋轉運動；

多個正交抑制電極；以及

多個諧振結構，所述多個諧振結構布置在所述框架的內周中，所述諧振結構基本在所述框架的平面內運行，所述諧振結構包括多個諧振器質量，每個諧振器質量均鄰近所述多個正交抑制電極中的相應一個正交抑制電極定位并能夠與所述諧振器質量的相應正交抑制電極基本平行地移動，每個諧振器質量均包括槽口，所述槽口鄰近所述諧振器質量的相應正交抑制電極的一部分而形成，使得直接鄰近所述正交抑制電極的所述諧振器質量的長度隨著所述諧振器質量相對于所述正交抑制電極移動而變化，其中，每個正交抑制電極均能夠對鄰近的諧振器質量產生橫向力，所述橫向力根據直接鄰近所述正交抑制電極的所述諧振器質量的長度而變化。

12.根據權利要求11所述的顯微加工的傳感器，其中，所述多個諧振結構僅懸掛于所述框架的內周。

13.根據權利要求11所述的顯微加工的傳感器，其中，所述多個諧振器質量通過多個杠桿、支點和撓性件機械地連接，以產生用于所述多個諧振器質量的基本單一的諧振頻率。