[發明專利]用于在晶片基材上沉積來自于工藝氣體的材料層的方法和裝置

有效

• 申請號: 201210109937.3
• 申請日: 2012-04-13
• 公開（公告）號: CN102751181A
• 公開（公告）日: 2012-10-24
• 發明（設計）人: G·布倫寧格;A·艾格納;C·哈格爾
• 申請（專利權）人: 硅電子股份公司
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205;H01L21/67;C23C16/44
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 于輝

1.用于在晶片基材上沉積來自于工藝氣體的材料層的裝置，所述裝置包含：

反應室，其由上圓頂、下圓底和側壁定界；

基座，其在材料層沉積過程中支撐所述晶片基材；

環繞基座的預熱環；

內襯，所述預熱環被支撐在其中心位置，并在所述中心位置預熱環和基座之間具有一致寬度的間隙；和

在內襯和預熱環之間的定距物，所述定距物保持預熱環在中心位置和在預熱環和內襯之間提供間距Δ。

2.權利要求1所述的裝置，其中所述間隙具有一致的不小于0.1mm和不大于2mm的寬度。

3.權利要求1或2所述的裝置，其中預熱環的外側邊界和與所述邊界相對的所述內襯的內側邊界之間的間距優選地不小于0.1mm和不大于1.9mm。

4.權利要求1-3中任一項所述的裝置，其中在與所述定距物鄰接的區域內的預熱環和內襯之間的間距Δ不小于0.01mm和不大于2mm。

5.權利要求1-4中任一項所述的裝置，其中用滑球形成所述定距物，其中滑球分布于預熱環的邊緣區域且部分嵌入于預熱環和內襯中。

6.在晶片基材上沉積來自于工藝氣體的材料層的方法，所述方法包括：

在權利要求1-5中任一項所述的裝置中，將工藝氣體從預熱環上導向由基座支撐的晶片基材上。

7.權利要求6所述的方法，其中在沉積過程中晶片基材被保持在中心位置，在所述的中心位置在預熱環和基座之間有一個間隙，且所述間隙具有一致的不小于0.1mm和不大于2mm的寬度。