[發明專利]一種偽差分式存儲陣列

無效

• 申請號: 201210109509.0
• 申請日: 2012-04-13
• 公開（公告）號: CN102637449A
• 公開（公告）日: 2012-08-15
• 發明（設計）人: 劉新宇;陳建武;吳旦昱;周磊;武錦;金智
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: G11C7/12
• 分類號: G11C7/12
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 周國城

1.一種偽差分式存儲陣列，其特征在于，包括邏輯感應單元(20)、存儲單元陣列(10)和列復用單元(30)，其中存儲單元陣列(10)由排成陣列結構的多個存儲單元構成，每個存儲單元與差分位線相連接，并且差分位線通過列復用單元(30)與邏輯感應單元(20)相連接。

2.根據權利要求1所述的偽差分式存儲陣列，其特征在于，所述每個存儲單元由一個雙極型晶體管構成，在存儲單元陣列(10)中，同一行的存儲單元的基極連接到字線WL，集電極接地，發射極與差分位線中同相位線或反相位線相連接，若與同相位線相連接，則存儲的數據是邏輯電平“1”；反之，若與反相位線相連接，則存儲的是邏輯電平“0”。

3.根據權利要求1所述的偽差分式存儲陣列，其特征在于，所述列復用單元(30)與差分位線相連接，用于從多列存儲單元中選擇一列存儲單元，并在對應的差分位線上導通相同的電流。

4.根據權利要求3所述的偽差分式存儲陣列，其特征在于，所述每一對差分位線BL和分別與列復用單元(30)中兩個列復用晶體管的集電極相連接，這兩個列復用晶體管基極與列選擇信號RS相連接，其中，第一列復用晶體管(Q₁)集電極與同相位線BL相連接，第二列復用晶體管(Q₂)集電極與反相位線相連接；第一列復用晶體管(Q₁)和第二列復用晶體管(Q₂)基極與列選擇信號RS₁相連接。

5.根據權利要求4所述的偽差分式存儲陣列，其特征在于；在列復用單元(30)中，所有與同相位線BL相連的列復用晶體管發射極連接到第一電流源(I₁)，所有與反相位線相連的的列復用晶體管發射極連接到第二電流源(I₂)，且第一電流源(I₁)和第二電流源(I₂)的電流相等。

6.根據權利要求1所述的偽差分式存儲陣列，其特征在于，所述邏輯感應單元(20)通過在位線上串聯共源共柵晶體管(cascode)和感應電阻，在不降低差分位線上電流情況下，減小差分位線上電壓擺幅，從而減少對差分位線上寄生電容的充放電時間；并通過感應電阻將差分位線上電流轉換為差分電壓輸出。