[發(fā)明專利]液晶顯示裝置的制造方法和液晶顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210108792.5
• 申請(qǐng)日: 2012-04-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102736298A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-10-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 土屋健司;羽澤榮作;山本洋明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社日立顯示器
• 主分類號(hào): G02F1/1333
• 分類號(hào): G02F1/1333;G02F1/136;G02F1/1343;H01L21/77
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 陳偉;孟祥海

1.一種液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，具有以下工序：

第二工序，在基板的第一區(qū)域內(nèi)形成第一半導(dǎo)體層，在第二區(qū)域內(nèi)形成第二半導(dǎo)體層；

第三工序，在上述第一區(qū)域內(nèi)與上述第一半導(dǎo)體層分離地形成第一電極，在上述第二區(qū)域內(nèi)與上述第二半導(dǎo)體層分離地形成第二電極；

第四工序，形成對(duì)上述第一區(qū)域的上述第一半導(dǎo)體層與上述第一電極進(jìn)行電連接的第三電極，并且使上述第一半導(dǎo)體層和上述第二半導(dǎo)體層露出；以及

第五工序，將上述第二半導(dǎo)體層用作蝕刻量的指標(biāo)而對(duì)所露出的上述第一半導(dǎo)體層進(jìn)行蝕刻。

2.一種液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，

具有以下工序：

柵電極形成工序，在玻璃基板的像素區(qū)域內(nèi)形成第一柵電極，在膜厚TEG部中形成第二柵電極；

柵極絕緣膜形成工序，在形成了上述第一柵電極和上述第二柵電極的上述玻璃基板上形成柵極絕緣膜；

半導(dǎo)體層形成工序，在上述像素區(qū)域的形成了上述第一柵電極的上述柵極絕緣膜上形成第一半導(dǎo)體層，在上述膜厚TEG部的形成了上述第二柵電極的上述柵極絕緣膜上形成第二半導(dǎo)體層；

像素電極形成工序，在像素區(qū)域的上述柵極絕緣膜上與上述第一半導(dǎo)體層分離地形成第一像素電極，在上述膜厚TEG部的周邊的上述柵極絕緣膜上與上述第二半導(dǎo)體層分離地形成第二像素區(qū)域；

漏電極形成工序，在上述玻璃基板上將導(dǎo)電膜在整個(gè)平面形成之后，將光致抗蝕劑圖案作為掩模，形成對(duì)上述像素區(qū)域的上述第一半導(dǎo)體層與上述第一像素電極進(jìn)行電連接的漏電極，并且使上述第一半導(dǎo)體層和上述第二半導(dǎo)體層露出；

溝道蝕刻工序，繼續(xù)將上述光致抗蝕劑圖案作為掩模，將上述第二半導(dǎo)體層用作蝕刻量的指標(biāo)而對(duì)所露出的上述第一半導(dǎo)體層進(jìn)行蝕刻；

絕緣膜形成工序，之后在上述玻璃基板上形成絕緣膜；以及

公共電極形成工序，在上述第一像素電極上的上述絕緣膜上形成公共電極。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，

上述第一半導(dǎo)體層和上述第二半導(dǎo)體層為非晶硅層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，

上述第一電極和上述第二電極為ITO電極。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，

形成于上述第二區(qū)域內(nèi)的上述第二電極的面積、位置被決定為在上述第五工序中上述第一半導(dǎo)體層與上述第二半導(dǎo)體層的蝕刻量為相同。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，

上述導(dǎo)電膜為Mo膜，或者為以Mo膜、含有Al的Mo膜夾持Al膜而成的多層膜。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，

上述第一半導(dǎo)體層和上述第二半導(dǎo)體層為非晶硅層，上述第一像素電極和上述第二像素電極為ITO電極。

8.一種液晶顯示裝置，在基板上的第一區(qū)域內(nèi)設(shè)置有像素區(qū)域，其特征在于，

在上述像素區(qū)域內(nèi)設(shè)置有：柵電極、設(shè)置于上述柵電極上的柵極絕緣膜、設(shè)置于柵電極上部的上述柵極絕緣膜上的半導(dǎo)體層和像素電極、漏電極、以及配置于上述像素電極的上部的公共電極，其中，上述漏電極配置在上述半導(dǎo)體層和上述像素電極上，并對(duì)上述半導(dǎo)體層和上述像素電極進(jìn)行電連接，

在上述基板上的第二區(qū)域內(nèi)設(shè)置有與上述像素電極同時(shí)形成的由同一材料形成的電極。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的液晶顯示裝置，其特征在于，

上述柵極絕緣膜為氮化硅膜，上述半導(dǎo)體層為非晶硅層，上述像素電極為ITO電極。