[發明專利]散熱器及其制造方法

有效

• 申請號: 201210107274.1
• 申請日: 2012-04-12
• 公開（公告）號: CN102751249A
• 公開（公告）日: 2012-10-24
• 發明（設計）人: 巖田佳孝;森昌吾;平野智哉;南和彥
• 申請（專利權）人: 株式會社豐田自動織機;昭和電工株式會社
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L21/48
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 魏金霞;田軍鋒

1.一種散熱器，所述散熱器包括電路基片和散熱裝置，其中，

所述電路基片包括：

絕緣基片，所述絕緣基片形成為具有前表面和后表面；

前金屬層，所述前金屬層接合于所述絕緣基片的所述前表面，所述前金屬層形成為具有能夠與半導體裝置接合的前表面和接合于所述絕緣基片的后表面；以及

后金屬層，所述后金屬層接合于所述絕緣基片的所述后表面，所述后金屬層形成為具有接合于所述絕緣基片的前表面和接合于所述散熱裝置的后表面，

所述后金屬層具有多個應力釋放空間，每個應力釋放空間形成為至少在所述后金屬層的所述前表面和所述后表面的其中一個處敞開，并且

當將所述后金屬層中的位于所述半導體裝置正下方的區域限定為正下方區域、并且將所述正下方區域外側的與該正下方區域相對應并具有與該正下方區域相同的尺寸的區域限定為對比區域時，在所述正下方區域的范圍中的所述應力釋放空間的體積小于形成在所述對比區域的范圍中的所述應力釋放空間的體積。

2.根據權利要求1所述的散熱器，其中，

在所述正下方區域的范圍中的所述應力釋放空間形成在所述正下方區域的周邊部分中、而不形成在所述正下方區域的中央部分中，

在所述對比區域的范圍中的所述應力釋放空間形成在所述對比區域的周邊部分和中央部分中，并且

使得在所述正下方區域的范圍中的所述應力釋放空間的體積小于形成在所述對比區域的范圍中的所述應力釋放空間的體積。

3.根據權利要求2所述的散熱器，其中，

利用硬釬料將所述絕緣基片、所述后金屬層和所述散熱裝置接合在一起，

在所述正下方區域的范圍中的所述應力釋放空間的至少一部分填充有硬釬料，并且

使得在所述正下方區域的范圍中的所述應力釋放空間的體積小于形成在所述對比區域的范圍中的所述應力釋放空間的體積。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的散熱器，其中，所述后金屬層是應力釋放構件。

5.根據權利要求1至3中任一項所述的散熱器，其中，所述后金屬層包括：

第一后金屬層，所述第一后金屬層接合于所述散熱裝置；以及

第二后金屬層，所述第二后金屬層位于所述第一后金屬層與所述絕緣基片之間并且接合于所述第一后金屬層和所述絕緣基片，

其中，所述應力釋放空間形成在所述第一后金屬層中。

6.一種用于制造具有電路基片和散熱裝置的散熱器的方法，其中，

所述電路基片包括：

絕緣基片，所述絕緣基片具有前表面和后表面；

前金屬層，所述前金屬層接合于所述絕緣基片的所述前表面，所述前金屬層具有能夠與半導體裝置接合的前表面和接合于所述絕緣基片的后表面；以及

后金屬層，所述后金屬層接合于所述絕緣基片的所述后表面，所述后金屬層具有接合于所述絕緣基片的前表面和接合于所述散熱裝置的后表面，

所述后金屬層具有多個應力釋放空間，

當將所述后金屬層中的位于所述半導體裝置正下方的區域限定為正下方區域、并且將所述正下方區域外側的與該正下方區域相對應并具有與該正下方區域相同的尺寸的區域限定為對比區域時，

所述制造方法包括：

準備硬釬料，其中，在所述正下方區域的范圍外側，所述硬釬料具有與所述應力釋放空間相對應的空間，并且在所述正下方區域的范圍中，所述硬釬料具有體積小于形成在所述對比區域中的空間的體積的另外的空間；

將所述硬釬料布置在所述后金屬層的接合界面處；

將所述硬釬料加熱至高于熔化溫度的溫度以便熔化所述硬釬料；以及

將熔化的所述硬釬料冷卻至低于所述熔化溫度的溫度以便使所述硬釬料凝固。

7.根據權利要求6所述的制造方法，其中，

準備所述硬釬料包括將所述硬釬料形成為使得：

所述硬釬料覆蓋所述正下方區域的范圍中的所述應力釋放空間的至少其中一個的部分開口或整個開口，并且

所述硬釬料不覆蓋所述正下方區域的范圍外側的所述應力釋放空間的開口。