[發明專利]一種從金剛線切割漿料中回收硅粉的方法有效
| 申請號: | 201210106821.4 | 申請日: | 2012-04-12 |
| 公開(公告)號: | CN103373731A | 公開(公告)日: | 2013-10-30 |
| 發明(設計)人: | 付紅平;艾振強;章金兵;劉渝龍;彭也慶;中野研吾 | 申請(專利權)人: | 江西賽維LDK太陽能高科技有限公司 |
| 主分類號: | C01B33/037 | 分類號: | C01B33/037 |
| 代理公司: | 廣州三環專利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫;熊永強 |
| 地址: | 338000 江西省新余*** | 國省代碼: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 金剛 切割 漿料 回收 方法 | ||
技術領域
本發明涉及硅塊加工領域,尤其涉及一種從金剛線切割漿料中回收硅粉的方法。
背景技術
目前,在硅塊加工領域,金剛線切割方式為一種全新的切割技術,即采用表面鍍有金剛石的鋼線對硅片進行切割,而在此過程中,需要用冷卻液進行冷卻。當硅片切割完成后,切割下來的硅粉將分散在冷卻液中,且切割過程中鋼線表面的金剛石也會有一定磨損,從而進入到切割漿料中。此外,在粘結硅塊與托盤時,需要采用石墨、樹脂板等高分子材料物質進行粘結,而其切割鋸屑也會混入切割漿料中。因此,金剛線切割漿料中的硅粉便混有多種雜質,為了避免硅粉浪費,一種能有效地將金剛線切割漿料中的雜質除去,分離得到高純度硅粉的方法變得很重要。
發明內容
本發明實施例所要解決的技術問題在于,提供一種從金剛線切割漿料中回收硅粉的方法,可有效地從金剛線切割漿料中分離回收得到高純度硅粉,避免硅粉浪費,提高企業經濟效益。
為了解決上述技術問題,本發明實施例提供了一種從金剛線切割漿料中回收硅粉的方法,包括:(1)將金剛線切割漿料中的固相分離出來,得到含切割鋸屑雜質的硅粉A;
(2)用水清洗(1)中所述含切割鋸屑雜質的硅粉A,得含切割鋸屑雜質的硅粉B;
(3)用強氧化劑對(2)中所述含切割鋸屑雜質的硅粉B進行氧化,得含切割鋸屑雜質的硅粉C;
(4)將(3)中所述含切割鋸屑雜質的硅粉C分散于水相中,利用有機溶劑萃取的方法,將所述含切割鋸屑雜質的硅粉C中的硅粉D與雜質進行分離;
(5)收集富含所述硅粉D的水相,除氧化后進行清洗、干燥,得到高純度的硅粉E。
步驟(1)的目的是將含切割鋸屑雜質的硅粉A從金剛線切割漿料中分離出來。所述金剛線切割漿料中含有硅粉、冷卻液、切割鋸屑雜質如金剛石碎片、石墨鋸屑及高分子樹脂板鋸屑等物質。金剛線切割漿料中的所述固相為含金剛石碎片、石墨鋸屑及高分子樹脂板鋸屑等雜質的硅粉,即含切割鋸屑雜質的硅粉A。
優選地,所述固相分離通過采用壓濾機壓濾實現,即通過壓濾機壓濾將金剛線切割漿料中的含切割鋸屑雜質的硅粉A分離出來。
步驟(2)的目的是為了將含切割鋸屑雜質的硅粉A上沾有的冷卻液清洗干凈,得含切割鋸屑雜質的硅粉B。
優選地,所述清洗的次數為2~3次。
步驟(3)的目的是通過強氧化劑對含切割鋸屑雜質的硅粉B進行氧化,得到含切割鋸屑雜質的硅粉C。這樣,含切割鋸屑雜質的硅粉C中的硅粉表面被氧化形成一層二氧化硅氧化膜,其表面特性由親油性轉變成為親水性。然而,硅粉C中含有的切割鋸屑雜質如金剛石碎片、石墨及高分子樹脂板鋸屑等物質的表面特性均為親油性,這樣便可根據對水和有機溶劑的親疏性不同,實現含切割鋸屑雜質的硅粉C中的硅粉與金剛石碎片、石墨及樹脂板鋸屑雜質的分離。
優選地,所述強氧化劑為硝酸和/或過氧化氫。
步驟(4)的目的是利用含切割鋸屑雜質的硅粉C中的硅粉D與金剛石碎片、石墨及樹脂板鋸屑雜質表面對水和有機溶劑的親疏性不同,采用有機溶劑萃取的方法實現含切割鋸屑雜質的硅粉C中的硅粉D與金剛石碎片、石墨及高分子樹脂板鋸屑雜質的分離。經油水分離得到富含切割鋸屑雜質的有機相及富含硅粉D的水相。
優選地,所述有機溶劑為正己烷、辛烷、煤油、油酸、苯、甲苯、異辛烷、松油、椰子油和氯仿中的一種或幾種。
優選地,采用鼓泡的方法輔助所述硅粉D與金剛石碎片、石墨及高分子樹脂板鋸屑雜質分離。
將含切割鋸屑雜質的硅粉C均勻分散在水中,得到懸浮液,在懸浮液中添加有機溶劑,有機溶劑將漂浮于懸浮液表面,再在容器底部鼓泡,氣泡起到攪拌作用的同時,也將懸浮液中疏水性物質如金剛石碎片、石墨及高分子樹脂板鋸屑等雜質帶至懸浮液液面而分散到有機相中,并防止其再次下沉到水中,而硅粉D表面親水則繼續分散在水中,從而實現分離硅粉D與金剛石碎片、石墨及高分子樹脂板鋸屑等雜質的目的。
優選地,水的用量與含切割鋸屑雜質的硅粉C的比例為1~50mL/g。
優選地,有機溶劑的用量與含切割鋸屑雜質的硅粉C的比例為0.01~0.5mL/g。
步驟(5)的目的是為了得到高純硅粉E。
優選地,采用氫氟酸對所述硅粉D進行所述除氧化處理。
優選地,硅粉E的純度為99.5%~99.9%。
所述硅粉E或經進一步提純后可作為太陽能級多晶硅原料的重要來源之一,也可以用作其他用途。
實施本發明實施例,具有如下有益效果:
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