[發(fā)明專利]蝕刻劑以及制造金屬線和使用其的薄膜晶體管基板的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210102583.X | 申請日： | 2012-04-09 |
| 公開（公告）號： | CN102827611A | 公開（公告）日： | 2012-12-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 鄭鐘鉉;金善一;樸智榮;金湘甲;宋溱鎬;崔新逸;權(quán)五柄;樸英哲;劉仁浩;李昔準(zhǔn);林玟基;張尚勛;秦榮晙 | 申請（專利權(quán)）人： | 三星電子株式會社;東友精細化工有限公司 |
| 主分類號： | C09K13/08 | 分類號： | C09K13/08;C23F1/16;H01L21/3213;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240 | 代理人： | 李丙林;張英 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 蝕刻 以及 制造 金屬線 使用 薄膜晶體管 方法 | ||
1.一種蝕刻劑，包含：
相對于所述蝕刻劑的總重量，以約0.5重量％至約20重量％的量包含的過硫酸鹽；
相對于所述蝕刻劑的總重量，以約0.01重量％至約2重量％的量包含的氟化物；
相對于所述蝕刻劑的總重量，以約1重量％至約10重量％的量包含的無機酸；
相對于所述蝕刻劑的總重量，以約0.5重量％至約5重量％的量包含的環(huán)胺；
相對于所述蝕刻劑的總重量，以約0.1重量％至約10.0重量％的量包含的磺酸；以及
相對于所述蝕刻劑的總重量，以約0.1重量％至約10重量％的量包含的有機酸或其鹽中的至少一種。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻劑，其中，所述過硫酸鹽是K2S2O8、Na2S2O8、或(NH4)2S2O8中的至少一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的蝕刻劑，其中，所述氟化物為氟化銨、氟化鈉、氟化鉀、氟化氫銨、氟化氫鈉、或氟化氫鉀中的至少一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的蝕刻劑，其中，所述無機酸是硝酸、硫酸、磷酸、或高氯酸中的至少一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的蝕刻劑，其中，所述環(huán)胺是氨基四唑、咪唑、吲哚、嘌呤、吡唑、吡啶、嘧啶、吡咯、吡咯烷、或吡咯啉中的至少一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的蝕刻劑，其中，所述磺酸是對甲苯磺酸或甲磺酸。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的蝕刻劑，其中，所述有機酸是羧酸、二羧酸、三羧酸、或四羧酸。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的蝕刻劑，其中，所述有機酸是乙酸、丁酸、檸檬酸、甲酸、葡糖酸、乙醇酸、丙二酸、草酸、戊酸、磺基苯甲酸、磺基琥珀酸、磺基鄰苯二甲酸、水楊酸、磺基水楊酸、苯甲酸、乳酸、甘油酸、琥珀酸、蘋果酸、酒石酸、異檸檬酸、丙烯酸、亞氨基二乙酸、或乙二胺四乙酸中的至少一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻劑，還包含使得所述蝕刻劑的總重量為100重量％的量的水。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻劑，其中，所述蝕刻劑蝕刻包括銅和鈦的多層。
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