[發明專利]肖特基二極管和其制造方法

有效

• 申請號: 201210101700.0
• 申請日: 2012-03-31
• 公開（公告）號: CN102738247B
• 公開（公告）日: 2017-05-03
• 發明（設計）人: 斯特凡·斯塔羅韋茨基;奧爾加·克雷姆帕斯卡;馬丁·普雷德梅爾斯基
• 申請（專利權）人: 賽米控電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司11219
• 代理人: 楊靖,車文

1.肖特基二極管(2)，所述肖特基二極管具有第一主面(4)和第二主面(6)以及邊緣面(8)，其中各個主面(4，6)同時構成相應的第一和第二電接觸表面，

所述肖特基二極管具有層式構造，所述層式構造由具有第一高摻雜物濃度的半導體基體(10)、相同導電性和較低摻雜物濃度的半導體層(12)、與所述半導體層構成肖特基接觸(200)的第一金屬層(20)、由連接介質(30)制成的層和在此上與第二金屬層(22)連接的平面接觸體(32)組成，其中，所述邊緣面(8)至少在所述肖特基接觸(200)的區域內與所述半導體層(12)、所述第一金屬層(20)、所述第二金屬層(22)以及所述由連接介質(30)制成的層成多于5度地偏離直角的角(80)，并且

所述肖特基二極管具有所述肖特基二極管(2)的邊緣面(8)的鈍化層(60)，該鈍化層至少覆蓋所述邊緣面(8)的那個在所述肖特基接觸(200)周圍的區段。

2.根據權利要求1所述的肖特基二極管，其中，在所述第一金屬層(20)與所述由連接介質(30)制成的層之間還設置有構成遷移屏障的第二金屬層(22)。

3.根據權利要求1所述的肖特基二極管，其中，所述平面接觸體(32)由金屬或高摻雜半導體材料制成。

4.根據權利要求1所述的肖特基二極管，其中，所述連接介質(30)是一層或多層的其它金屬層或導電粘合連接件。

5.根據權利要求1所述的肖特基二極管，其中，在所述第一和/或第二主面(4，6)上設置有其它金屬接觸層。

6.根據權利要求1所述的肖特基二極管，其中，所述鈍化層(60)完全地、從所述第一主面(4)至所述第二主面(6)延伸地覆蓋所述邊緣面(8)。

7.用于制造至少一個根據前述權利要求之一所述的肖特基二極管(2)的方法，其特征在于下列方法步驟：

·準備高摻雜物濃度的半導體基體(10)，所述半導體基體具有構成第一電接觸表面的第一主面(4)；

·在所述半導體基體(10)的與所述第一主面(4)相對設置的面上外延沉積具有相同導電性和較低摻雜物濃度的半導體層(12)；

·在第一金屬層(20)與所述半導體層(12)之間構成肖特基接觸(200)的情況下在所述半導體層(12)上布置所述第一金屬層(20)；

·借助連接介質(30)連接平面接觸體(32)與所述第一金屬層(20)；

·構成至少一個單個肖特基二極管(2)，其中，構成至少一個肖特基二極管(2)時，至少在所述肖特基接觸(200)的區域內邊緣面(8)與所述半導體層(12)、所述第一金屬層(20)、所述第二金屬層(22)以及所述由連接介質(30)制成的層成多于5度地偏離直角的角(80)；

·在所述至少一個肖特基二極管(2)的邊緣面(8)內布置鈍化層(60)。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，以蒸鍍法、濺射法或沉積法由液相中施加所述第一金屬層(20)和/或在所述第一金屬層(20)與所述連接介質(30)之間布置的第二金屬層(22)。

9.根據權利要求7或8所述的方法，其中，所述平面接觸體(32)與所述第一金屬層(20)或所述第二金屬層(22)的連接借助粘接法，焊劑焊接法或燒結法來進行。

10.根據權利要求7所述的方法，其中，所述至少一個肖特基二極管(2)的構成借助一級或兩級鋸割法(40，42)進行。

11.根據權利要求10所述的方法，其中，接著所述鋸割法(40，42)，至少在所述至少一個肖特基二極管(2)的所述肖特基接觸(200)的區域內所述邊緣面(8)經受蝕刻法(50)。

12.根據權利要求7、8、10或11所述的方法，其中，構成多個肖特基二極管(2)時，晶圓布置在載體裝置(34)上并且因此構成各個肖特基二極管(2)的松散集合。

13.根據權利要求9所述的方法，其中，構成多個肖特基二極管(2)時，晶圓布置在載體裝置(34)上并且因此構成各個肖特基二極管(2)的松散集合。

14.根據權利要求12所述的方法，其中，在布置所述鈍化層(60)之后完全分離所述肖特基二極管(2)。