[發明專利]自對準雙構圖方法及其形成的圖案

有效

• 申請號: 201210101644.0
• 申請日: 2012-03-31
• 公開（公告）號: CN103367108A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: 李鳳蓮;倪景華
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/311;H01L21/3213
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種自對準雙構圖方法，其特征在于，包括：

提供形成在襯底上的第一介電層；

在所述第一介電層上依次淀積待刻蝕層、研磨終止層；

在所述待刻蝕層、研磨終止層內形成溝槽；

在所述研磨終止層上及溝槽內淀積摻雜多晶硅層；

在所述摻雜多晶硅層上淀積第二介電層以填滿所述溝槽并去除溝槽外的第二介電層與摻雜多晶硅層；

在暴露在所述溝槽開口處的摻雜多晶硅層上形成帽層；

去除所述研磨終止層與所述第二介電層；

以所述帽層為硬掩膜刻蝕所述待刻蝕層與所述摻雜多晶硅層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述待刻蝕層的材質與所述摻雜多晶硅層的材質相同。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述摻雜多晶硅層中所摻元素為III族或V族元素。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，形成帽層的方法為電解法。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述電解法包括：以摻雜多晶硅層為陰極，在其上形成被還原的金屬層或金屬合金層作為所述帽層。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，電解液為Pa離子溶液，或次磷酸與金屬離子溶液的混合溶液。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述金屬離子溶液所含金屬離子為Co²⁺、W²⁺、Ti²⁺、Mo²⁺中的至少一種。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，去除所述研磨終止層與所述第二介電層的方法為干法刻蝕或濕法去除。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述研磨終止層材質為氮化硅，去除采用磷酸；所述第二介電層材質為二氧化硅，去除采用氫氟酸。

10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述待刻蝕層、研磨終止層內形成的所述溝槽有多個。

11.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，去除溝槽外的第二介電層與摻雜多晶硅層的方法為化學機械研磨。

12.一種根據權利要求1所述的方法形成的圖案。

13.根據權利要求12所述的圖案，其特征在于，所述圖案的帽層材質為Pa、CoWP或CoMoP。

14.根據權利要求13所述的圖案，其特征在于，材質為CoWP或CoMoP的帽層的厚度范圍為：50A-200A。

15.根據權利要求12所述的圖案，其特征在于，位于所述溝槽側壁的摻雜多晶硅層的厚度范圍為200A-1000A。