[發明專利]半導體封裝

無效

• 申請號: 201210100142.6
• 申請日: 2012-04-06
• 公開（公告）號: CN103165587A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發明（設計）人: 金泰勛;崔碩文
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H01L23/367;H01L23/495;H01L23/31
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司 11283
• 代理人: 陳瀟瀟;南毅寧

相關申請的交叉引用

本申請要求2011年12月16日提交的名稱為“Semiconductor?Package”的韓國專利申請號為No.10-2011-0136666的權益，該申請的全部內容通過引用的方式結合于此。

技術領域

本發明涉及半導體封裝。

背景技術

隨著電子工業的發展，提供小型且高密度的功率半導體模塊同時減小半導體器件的尺寸已成為主要焦點，因此，焦點已縮小在減小模塊的尺寸上。在有限的空間中集成元件會增加熱量的產生，且這種熱量的產生極大地影響了功率半導體模塊的操作和使用壽命，因此，這已成為一個重要的問題。

這類功率半導體封裝被配置成具有這樣的結構，即多個半導體元件被焊接在單個絕緣基板上且殼體鍵合于其上。而且，半導體元件和基板、及嵌入殼體的基板和端子通過引線鍵合或焊接的方式相互連接。而且，由于用于耗散半導體封裝的熱量的散熱板僅布置在該封裝的下部，所以熱量不能有效地耗散(公開號為10-2011-0014867的韓國專利)。

發明內容

本發明致力于提供一種緊湊型半導體封裝。

本發明還致力于提供一種具有增強型散熱效果的半導體封裝。

根據本發明的優選實施方式，提供一種半導體封裝，包括：多個半導體元件；形成在半導體元件的下方的第一散熱基板；將半導體元件的下部電連接至第一散熱基板的上部的第一引線框；形成在半導體元件的上方的第二散熱基板；以及具有突出部并將半導體元件的上部電連接至第二散熱基板的下部的第二引線框，該突出部被形成以從第二引線框的一個表面向外部突出。

該半導體封裝可進一步包括：形成在第一引線框和第二引線框之間的空間中的襯墊。

該半導體封裝可進一步包括：覆蓋第一散熱基板和第二散熱基板的兩邊以使第一散熱基板和第二散熱基板之間的內部空間與外界分隔的殼體。

第一引線框和第二引線框中的至少一者可被形成以從殼體向外部突出。

該半導體封裝可進一步包括：填充在第一散熱基板和第二散熱基板之間的內部空間中的絕緣樹脂。

半導體元件可包括功率元件和控制元件中的至少一者。

功率元件可以是絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。

控制元件可以是二極管。

二極管可被布置以使該二極管的柵電極與第一引線框相接觸。

第一引線框和第二引線框可使多個半導體元件彼此串聯連接或并聯連接。

根據本發明的另一優選實施方式，提供一種半導體封裝，包括：各自具有相同厚度的多個半導體元件；形成在半導體元件下方的第一散熱基板；將半導體元件的下部電連接至第一散熱基板的上部的第一引線框；形成在半導體元件的上方的第二散熱基板；以及將半導體元件的上部電連接至所述第二散熱基板的下部的第二引線框。

該半導體封裝可進一步包括：形成在第一引線框和第二引線框之間的空間中的襯墊。

該半導體封裝可進一步包括：覆蓋第一散熱基板和第二散熱基板的兩邊以使第一散熱基板和第二散熱基板之間的內部空間與外界分隔的殼體。

第一引線框和第二引線框中的至少一者可被形成以從殼體向外部突出。

該半導體封裝可進一步包括：填充在第一散熱基板和第二散熱基板之間的內部空間中的絕緣樹脂。

半導體元件可包括功率元件和控制元件中的至少一者。

功率元件可以是絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。

控制元件可以是二極管。

二極管可被布置以使二極管的柵電極與第一引線框相接觸。

第一引線框和第二引線框可使多個半導體元件彼此串聯連接或并聯連接。

附圖說明

圖1是示出根據本發明優選實施方式的半導體封裝的視圖；

圖2是示出根據本發明優選實施方式的由殼體封裝的半導體封裝的視圖；

圖3是示出根據本發明優選實施方式的包括半導體元件的電路圖；

圖4是示出根據本發明優選實施方式的半導體封裝的布線結構的視圖；以及

圖5是示出根據本發明另一優選實施方式的半導體封裝的視圖。

具體實施方式

根據結合附圖的下述描述，本發明的各種特征和優勢將更加明顯。

本說明書及權利要求書中所使用的術語及詞語不應被解釋為限于一般含義或字典定義，而是應當基于發明人可適當地對術語概念進行定義以更為適當地對他或她所知的用于執行本發明的最佳方法進行描述這一原則被解釋為具有與本發明的技術范圍相關的含義及概念。