[發明專利]機電換能器及其制造方法

有效

• 申請號: 201210099693.5
• 申請日: 2012-04-06
• 公開（公告）號: CN102728534A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發明（設計）人: 虎島和敏;秋山貴弘;冨吉俊夫
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: B06B1/02
• 分類號: B06B1/02
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 李穎

1.一種機電換能器，包括：

第一電極；

被設置于第一電極上的硅氧化物膜；和

振動膜，包含硅氮化物膜和被設置于所述硅氮化物膜上以與第一電極相對的第二電極，所述硅氮化物膜被設置于所述硅氧化物膜上使得在所述硅氮化物膜和所述硅氧化物膜之間具有間隙。

2.根據權利要求1的機電換能器，其中，所述硅氮化物膜具有大于0MPa且不大于300MPa的拉應力。

3.根據權利要求1或2的機電換能器，其中，所述振動膜還包含被設置于第二電極上在與所述間隙相反的一側的硅氮化物膜。

4.根據權利要求1的機電換能器，還包括：

用于在第一電極與第二電極之間施加電壓的電壓施加單元，其中，

所述電壓施加單元施加電壓使得第一電極的電勢比第二電極的電勢低。

5.根據權利要求1的機電換能器，還包括：

用于在第一電極與第二電極之間施加電壓的電壓施加單元，其中，

所述電壓施加單元施加電壓使得向所述硅氮化物膜施加2MV/cm或更小的電場強度。

6.一種機電換能器，包括：

第一電極；

被設置于第一電極上的絕緣膜；和

振動膜，包含膜片和被設置于所述膜片上在與所述間隙相反的一側以與第一電極相對的第二電極，所述膜片被設置于所述絕緣膜上使得在所述膜片與所述絕緣膜之間具有間隙，其中，

所述膜片具有大于0MPa且不大于300MPa的拉應力；并且，

所述絕緣膜具有比所述膜片的勢壘高的勢壘。

7.一種制造機電換能器的方法，包括：

在第一電極上形成硅氧化物膜；

在所述硅氧化物膜上形成犧牲層；

在所述犧牲層上形成硅氮化物膜；

在所述硅氮化物膜上形成第二電極；和

在所述硅氮化物膜中形成蝕刻孔并通過所述蝕刻孔去除所述犧牲層。

8.根據權利要求7的制造機電換能器的方法，其中，所述犧牲層由鉻制成并且通過濕法蝕刻被去除。