[發(fā)明專(zhuān)利]發(fā)光二極管封裝方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210098892.4
• 申請(qǐng)日: 2012-04-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103367565A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-10-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林新強(qiáng);陳濱全
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創(chuàng)能源科技股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L33/00
• 分類(lèi)號(hào): H01L33/00;H01L33/62;H01L33/60
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體封裝方法，尤其涉及一種發(fā)光二極管封裝方法。

背景技術(shù)

發(fā)光二極管(Light?Emitting?Diode，LED)是一種可將電流轉(zhuǎn)換成特定波長(zhǎng)范圍的光的半導(dǎo)體元件，憑借其發(fā)光效率高、體積小、重量輕、環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)，已被廣泛地應(yīng)用到當(dāng)前的各個(gè)領(lǐng)域當(dāng)中。

發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)通常包括基座、與基座結(jié)合的二電極、固定在基座的反射杯內(nèi)并連接至二電極的發(fā)光二極管芯片以及封裝該發(fā)光二極管芯片的封裝層。發(fā)光二極管的封裝層形成于反射杯中并與反射杯的上表面齊平。該封裝層通常是通過(guò)注射或澆注的方式形成，在封裝的過(guò)程中容易自反射杯中溢出或流出而形成毛邊結(jié)構(gòu)，影響發(fā)光二極管的制程良率。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明旨在提供一種去除封裝層毛邊結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管封裝方法。

一種發(fā)光二極管封裝方法，包括以下步驟:提供一基板，在基板上形成引腳結(jié)構(gòu)和反射杯，所述引腳結(jié)構(gòu)包括相互間隔的第一電極和第二電極，所述反射杯與該引腳結(jié)構(gòu)及基板共同圍設(shè)形成一凹陷；在該凹陷內(nèi)的引腳結(jié)構(gòu)上設(shè)置發(fā)光元件，并將該發(fā)光元件電連接至該第一電極和第二電極；在凹陷內(nèi)形成一封裝層以覆蓋該發(fā)光元件；及用噴砂技術(shù)處理封裝層及反射杯的上表面。

與先前技術(shù)相比，上述發(fā)光二極管的封裝方法利用噴砂技術(shù)處理封裝層表面，藉由噴料的沖擊和切削作用，在去除毛邊結(jié)構(gòu)的同時(shí)將封裝層的表面加工成具有細(xì)微凸起的粗糙凹凸面，不僅有效提高了發(fā)光二極管的制程良率，還能增強(qiáng)出射光線的散射、降低全反射發(fā)生的幾率，從而在保證出光均勻的同時(shí)提升該發(fā)光二極管的出光效率。

附圖說(shuō)明

圖1至圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的發(fā)光二極管封裝方法的各步驟示意圖。

主要元件符號(hào)說(shuō)明

發(fā)光二極管100基板10第一表面11第二表面12引腳結(jié)構(gòu)20第一電極21第二電極22反射杯30上表面31下表面32凹陷33發(fā)光元件40封裝層50毛邊結(jié)構(gòu)51凹凸面52