[發明專利]四邊扁平無引腳封裝件及其生產方法

有效

• 申請號: 201210098828.6
• 申請日: 2012-04-06
• 公開（公告）號: CN102629599A
• 公開（公告）日: 2012-08-08
• 發明（設計）人: 朱文輝;慕蔚;徐召明;李習周;郭小偉
• 申請（專利權）人: 天水華天科技股份有限公司;華天科技（西安）有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/31;H01L21/60;H01L21/56
• 代理公司: 甘肅省知識產權事務中心 62100
• 代理人: 李琪

技術領域

本發明屬于電子信息自動化元器件制造技術領域，涉及一種四邊扁平無引腳封裝件；本發明還涉及一種該封裝件的生產方法。?

背景技術

近年來，隨著移動通信和移動計算機領域便捷式電子元器件的迅猛發展，小型封裝和高密度組裝技術得到了長足的發展；同時，也對小型封裝技術提出了一系列嚴格要求，諸如，要求封裝外形尺寸盡量縮小（尤其是封裝高度小于1mm）。封裝后的連接可靠性盡可能提高，適應無鉛化焊接（保護環境）和有效降低成本。

長期以來，受蝕刻模板及蝕刻工藝技術的限制，QFN產品一直延續著單圈引線框架模式。

QFN（Quad?Flat?No?Lead?Package）型多圈排列封裝的集成電路封裝技術是近幾年國外發展起來的一種新型微小形高密度I/O封裝技術，是最先進的表面貼裝封裝技術之一。具有無引腳、貼裝占有面積小，安裝高度低等特點，是為滿足移動通信和移動計算機領域的便捷式電子機器，如PDA、3G手機、MP3、MP4、MP5等超薄型電子產品發展的需要應運而生并迅速成長起來的一種新型封裝技術。但目前的四邊扁平無引腳封裝件的引腳少，即I/O少，焊線長、焊線成本高、頻率應用受限制，滿足不了高密度、多I/O封裝的需要。

發明內容

為了克服上述現有技術中存在的問題，本發明的目的是提供一種四邊扁平無引腳封裝件，引腳多、焊線短，能滿足高密度、多I/O封裝的需要。

本發明的另一目的是提供一種上述封裝件的生產方法。

為實現上述目的，本發明所采用的技術方案是：一種四邊扁平無引腳封裝件，包括引線框架載體，引線框架載體由載體凹坑和環繞載體凹坑設置的三圈引腳組成，該三圈引腳分別由多個互不相連的引腳組成，載體凹坑內粘貼有IC芯片，所有引腳上均鍍有內引腳化學鍍鎳鈀金層；內引腳化學鍍鎳鈀金層與?IC芯片同向設置，IC芯片與內引腳化學鍍鎳鈀金層之間通過鍵合線相連接；IC芯片、所有引腳鍍有內引腳化學鍍鎳鈀金層的一端和所有鍵合線均封裝于塑封體內。

本發明所采用的另一技術方案是：一種上述四邊扁平無引腳封裝件的生產方法，具體按以下步驟進行：

步驟1：晶圓減薄劃片和制作引線框架

采用普通QFN減薄方法進行晶圓減薄，得到最終厚度為150μm～200μm的晶圓；粗磨范圍從原始晶圓片+膠膜厚度到最終厚度+膠膜厚度+50μm，粗磨速度3μm/s～6μm/s；精磨厚度范圍從最終厚度+膠膜厚度+50μm到晶圓最終厚度+膠膜厚度，精磨速度為10μm/min～20μm/min，采用防止碎片工藝；對減薄后的晶圓進行劃片，得到IC芯片，應用防碎片、防裂紋劃片工藝軟件控制技術，劃片進刀速度≤10mm/s；

制作引線框架：

第一步，取厚度為6mil～8mil的銅板，預處理該銅板表面并粗化，得到引線框架基體；

第二步，以絲網漏印的方式將感光油墨均勻地涂覆于引線框架基體的一個表面，在75℃～80℃的溫度下烘烤10分鐘，使感光油墨硬化；用UV紫外線照射底片，在引線框架基體表面形成圖形；用濃度為0.8g/L～1.2g/L?的Na₂CO₃腐蝕液處理經UV紫外線照射的感光油墨，在引線框架基體表面形成厚度為10μm～15μm的不連續的第一感光膠層；

第三步，在未被第一感光膠層覆蓋的引線框架基體表面區域化學鍍鎳鈀金，在該區域形成厚度為0.5μm～5μm的內引腳化學鍍鎳鈀金層；?

第四步，用濃度3%～5%的氫氧化鈉腐蝕液去掉引線框架基體表面上的第一感光膠層，引線框架基體表面留下內引腳化學鍍鎳鈀金層，水洗；

第五步，在引線框架基體有內引腳化學鍍鎳鈀金層的表面涂覆感光油墨，涂覆方法和后續的處理方法同上述第二步，在內引腳化學鍍鎳鈀金層表面形成厚度為10μm～20μm的第二感光膠層；

第六步，用三氯化鐵蝕刻液對引線框架基體有第二感光膠層的表面進行半腐蝕，該表面沒有覆蓋第二感光膠層的區域被三氯化鐵蝕刻液腐蝕，腐蝕深度為0.06mm±5μm，在該表面形成載體凹坑、多個第一內引腳、多個第二內引腳和多個第三內引腳，多個第一內引腳形成第一圈內引腳，多個第二內引腳形成第二圈內引腳，多個第三內引腳形成第三圈內引腳；?

第七步，用氫氧化鈉腐蝕液去掉第二感光膠層，水洗，得到引線框架；

步驟2：上芯

將IC芯片粘貼于載體凹坑底面；上芯完成后送固化，采用ESPEC烘烤箱，防離層工藝烘烤，烘烤溫度175℃±5℃，烘烤3h+0.5h；