[發(fā)明專利]全印刷柔性碳納米管薄膜晶體管的制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210098673.6 | 申請日: | 2012-04-06 |
| 公開(公告)號: | CN102723276A | 公開(公告)日: | 2012-10-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 趙建文;高育龍;顧唯兵;崔錚 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 |
| 主分類號: | H01L21/336 | 分類號: | H01L21/336 |
| 代理公司: | 深圳市銘粵知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44304 | 代理人: | 楊林;金玉蘭 |
| 地址: | 215123 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 印刷 柔性 納米 薄膜晶體管 制備 方法 | ||
1.一種全印刷柔性碳納米管薄膜晶體管的制備方法,其特征在于,包括:
(1)選取柔性襯底;
(2)通過納米壓印技術(shù)在柔性襯底表面制作銀微網(wǎng)格電極陣列,形成源、漏電極溝道;
(3)在銀微網(wǎng)格電極表面化學(xué)鍍金屬電極;
(4)通過打印技術(shù)將碳納米管墨水沉積在源、漏電極溝道中,形成碳納米管薄膜;
(5)通過印刷技術(shù)在源、漏電極的一側(cè)制備柵電極;
(6)通過打印技術(shù)在碳納米管薄膜表面沉積介電層,所述介電層與柵電極相接觸。
2.如權(quán)利要求1所述的全印刷柔性碳納米管薄膜晶體管的制備方法,其特征在于,所屬步驟(4)中的打印技術(shù)為氣溶膠打印或者噴墨打印技術(shù)。
3.如權(quán)利要求2所述的全印刷柔性碳納米管薄膜晶體管的制備方法,其特征在于,所屬步驟(6)中的打印技術(shù)為氣溶膠打印技術(shù)。
4.如權(quán)利要求3所述的全印刷柔性碳納米管薄膜晶體管的制備方法,其特征在于,所述的柔性襯底材料包括聚酰亞胺或聚對苯二甲酸乙二醇酯或聚甲基丙烯酸甲酯。
5.如權(quán)利要求4所述的全印刷柔性碳納米管薄膜晶體管的制備方法,其特征在于,所述步驟(5)中的制備柵電極的印刷技術(shù)包括納米壓印技術(shù)、氣溶膠打印技術(shù)或者噴墨打印技術(shù)。
6.如權(quán)利要求5所述的全印刷柔性碳納米管薄膜晶體管的制備方法,其特征在于,步驟(4)中繼在源、漏電極溝道中沉積碳納米管薄膜后,通過退火、激光燒結(jié)或者紅外加熱的方法改善碳納米管薄膜電性能。
7.如權(quán)利要求6所述的全印刷柔性碳納米管薄膜晶體管的制備方法,其特征在于,所述源、漏電極的材料為銀、銅、鎳或者金中的任一種材料。
8.如權(quán)利要求6所述的全印刷柔性碳納米管薄膜晶體管的制備方法,其特征在于,所述柵電極的材料為印刷導(dǎo)電材料,包括銀、金、銅、鎳、碳納米管或者PSS:PEDOT中的任一種材料。
9.如權(quán)利要求1所述的全印刷柔性碳納米管薄膜晶體管的制備方法,其特征在于,所述的碳納米管包括CoMoCat65、CoMoCat76、HiPCO、CG100、CG200或者P2中的至少一種。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





