[發(fā)明專利]一種壓電薄膜元件及其制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210096914.3
• 申請日: 2012-04-01
• 公開（公告）號: CN103367628A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發(fā)明（設計）人: 李彥坤;孟召龍;倉俊;張曉青
• 申請（專利權）人: 貝辛電子科技（上海）有限公司
• 主分類號: H01L41/08
• 分類號: H01L41/08;H01L41/047;H01L41/29
• 代理公司: 上海精晟知識產(chǎn)權代理有限公司 31253
• 代理人: 何新平

1.一種壓電薄膜元件，其包括：

一壓電薄膜，該壓電薄膜包括相對設置的第一表面及第二表面；

一第一表面電極設置在所述第一表面，所述第一表面電極包括一第一感應區(qū)電極及一第一引出電極自所述第一感應區(qū)電極延伸而出；

一第二表面電極設置在所述第二表面，所述第二表面電極包括一第二感應區(qū)電極及一第二引出電極自所述第二感應區(qū)電極延伸而出；

所述第一感應區(qū)電極與所述第二感應區(qū)電極相對壓電薄膜對稱設置，所述第一引出電極與所述第二引出電極在所述壓電薄膜上的投影間隔設置；

其特征在于，所述第一引出電極的厚度小于等于20微米大于等于3微米，所述第一感應區(qū)電極的厚度小于等于800納米大于等于20納米，所述第二引出電極的厚度小于等于20微米大于等于3微米，所述第二感應區(qū)電極的厚度小于等于800納米大于等于20納米。

2.一種壓電薄膜元件的制備方法，其步驟包括：

提供一壓電薄膜，該壓電薄膜包括相對設置的第一表面及第二表面，在所述第一表面定義一第一感應區(qū)域及一第一引出區(qū)域，在所述第二表面定義一第二感應區(qū)域及一第二引出區(qū)域，所述第一感應區(qū)域與第二感應區(qū)域相對所述壓電薄膜對稱設置，所述第一引出區(qū)域與第二引出區(qū)域相對所述壓電薄膜對稱設置；

設置一第一掩膜覆蓋所述第一引出區(qū)域，設置一第二掩膜覆蓋所述第二引出區(qū)域；

在所述第一感應區(qū)域形成一第一感應區(qū)電極，在所述第二感應區(qū)域形成一第二感應區(qū)電極，所述第一感應區(qū)電極與第二感應區(qū)電極相對所述壓電薄膜對稱設置；

去除所述第一掩膜與第二掩膜；

在所述第一引出區(qū)域形成一第一引出電極，所述第一引出電極與所述第一感應區(qū)電極電接觸，在所述第二引出區(qū)域形成一第二引出電極，所述第二引出電極與所述第二感應區(qū)電極電接觸，并使所述第一引出電極與所述第二引出電極在所述壓電薄膜上的投影間隔設置，且使所述第一引出電極的厚度大于所述第一感應區(qū)電極的厚度，使所述第二引出電極的厚度大于所述第二感應區(qū)電極的厚度。

3.一種如權利要求2所述的壓電薄膜元件的制備方法，其特征在于，在設置所述第一掩膜之前，進一步包括如下步驟：對所述壓電薄膜進行電暈處理。

4.一種如權利要求2所述的壓電薄膜元件的制備方法，其特征在于，所述壓電薄膜包括聚偏氟乙烯壓電薄膜、聚偏氟乙烯與三氟乙烯的共聚物壓電薄膜、壓電駐極體薄膜。

5.一種如權利要求2所述的壓電薄膜元件的制備方法，其特征在于，所述第一掩膜的一表面設置有黏膠，所述第一掩膜通過該黏膠粘合在所述第一引出區(qū)域，所述第二掩膜的一表面設置有黏膠，所述第二掩膜通過該黏膠粘合在所述第二引出區(qū)域。

6.一種如權利要求2所述的壓電薄膜元件的制備方法，其特征在于，所述第一感應區(qū)電極通過鍍膜工藝形成在所述第一感應區(qū)域，所述第二感應區(qū)電極通過鍍膜工藝形成在所述第二感應區(qū)域。

7.一種如權利要求6所述的壓電薄膜元件的制備方法，其特征在于，所述鍍膜工藝包括蒸發(fā)式鍍膜工藝與磁控濺射式鍍膜工藝。

8.一種如權利要求2所述的壓電薄膜元件的制備方法，其特征在于，所述第一引出電極與第二引出電極通過絲網(wǎng)印刷工藝分別形成在所述第一引出區(qū)域及第二引出區(qū)域。

9.一種如權利要求8所述的壓電薄膜元件的制備方法，其特征在于，所述述第一引出電極與第二引出電極通過絲網(wǎng)印刷銀漿或碳漿的方式分別形成在所述第一引出區(qū)域及第二引出區(qū)域。

10.一種如權利要求2所述的壓電薄膜元件的制備方法，其特征在于，所述第一引出電極與第二引出電極的厚度均小于等于20微米大于等于3微米，所述第一感應區(qū)電極與第二感應區(qū)電極的厚度均小于等于800納米大于等于20納米。