[發明專利]半導體發光器件及其制備方法

無效

• 申請號: 201210093235.0
• 申請日: 2012-03-31
• 公開（公告）號: CN102623603A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發明（設計）人: 金迎春;徐瑾;王江波
• 申請（專利權）人: 華燦光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/20;H01L33/00
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 徐立

1.一種半導體發光器件，所述半導體發光器件包括襯底、設于所述襯底上的外延層和設于所述外延層上的電極層，所述外延層包括依次層疊在所述襯底的頂面上的第一半導體層、活性層和第二半導體層；所述電極層上設有第一電極，所述第二半導體層或所述襯底的底面設有第二電極，其特征在于，

所述襯底的底面和所述電極層的表面中的至少一個形成有多個凸起和/或孔，所述凸起和所述孔均從所述底面或所述電極層的表面向所述半導體發光器件的內部延伸，所述凸起的高度至少為0.1μm，所述孔的深度至少為0.1μm。

2.根據權利要求1所述的半導體發光器件，其特征在于，所述凸起和所述孔從所述電極層表面延伸至所述外延層的與所述電極層相鄰的表面，或者從所述電極層表面延伸至所述第二半導體層內部。

3.根據權利要求1所述的半導體發光器件，其特征在于，所述凸起和孔為以下形狀中的一種或任意組合：柱狀、錐狀、梯形臺狀和蒙古包狀。

4.一種如權利要求1-3任一項所述的半導體發光器件的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

提供待加工的半導體發光器件，所述待加工的半導體發光器件包括襯底、設于所述襯底上的外延層和設于所述外延層上的電極層，所述外延層包括依次層疊在所述襯底的頂面上的第一半導體層、活性層和第二半導體層；所述電極層上設有第一電極，所述第二半導體層或所述襯底的底面設有第二電極；

以多孔氧化鋁模板為掩膜，對所述電極層的表面和/或所述襯底的底面進行刻蝕，從而在所述電極層或襯底的底面的表面形成多個孔，所述多孔氧化鋁模板通過陽極氧化法制造。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述以多孔氧化鋁模板為掩膜，對所述電極層或所述襯底的底面進行刻蝕，包括：

在所述電極層的表面或所述襯底的底面形成一層鋁膜，所述鋁膜的厚度為0.1μm-10μm，通過陽極氧化法，將鋁膜氧化成多孔氧化鋁模板。

6.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述多孔氧化鋁模板上的小孔的直徑為0.1μm-10μm。

7.一種如權利要求1-3任一項所述的半導體發光器件的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

提供待加工的半導體發光器件，所述待加工的半導體發光器件包括襯底、設于所述襯底上的外延層和設于所述外延層上的電極層，所述外延層包括依次層疊在所述襯底的頂面上的第一半導體層、活性層和第二半導體層；所述電極層上設有第一電極，所述第二半導體層或所述襯底的底面設有第二電極；

在所述電極層的表面和/或所述襯底的底面涂覆一層光刻膠層；

提供多孔氧化鋁模板，所述多孔氧化鋁模板通過陽極氧化法制造；

以氧化鋁模板為壓印模，在所述光刻膠層上壓出預定形狀的光刻膠圖形；

移除所述氧化鋁模板；

以壓印后的光刻膠層為掩膜，對所述電極層或所述襯底的底面進行刻蝕，從而在所述電極層或襯底的底面的表面形成多個凸起。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，涂覆的所述光刻膠層的厚度為0.1μm-10μm。

9.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述多孔氧化鋁模板上的小孔的直徑為0.1μm-10μm。