[發(fā)明專利]形成齒狀電容器的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210092795.4
• 申請日: 2012-03-31
• 公開（公告）號(hào): CN103367106A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳逸男;徐文吉;葉紹文;劉獻(xiàn)文
• 申請（專利權(quán)）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02
• 代理公司: 深圳新創(chuàng)友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

1.一種形成齒狀電容器的方法，其特征在于，包含：

提供一基材；

在所述基材上依序交替地形成層疊的低摻雜濃度摻雜硅玻璃層與高摻雜濃度摻雜硅玻璃層；

形成多個(gè)通孔貫穿所有所述交替層疊的摻雜硅玻璃層；以及

進(jìn)行一濕刻蝕工藝以從所述通孔的側(cè)壁刻蝕所述摻雜硅玻璃層，使得所述高摻雜濃度的摻雜硅玻璃層受到比所述低摻雜濃度的摻雜硅玻璃層較多的橫向刻蝕，進(jìn)而在所述通孔中形成齒狀結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述的形成齒狀電容器的方法，其特征在于，所述摻雜硅玻璃層為硼硅玻璃、磷硅玻璃、或硼磷硅玻璃。

3.如權(quán)利要求1所述的形成齒狀電容器的方法，其特征在于，所述的摻雜濃度為硼摻雜濃度或磷摻雜濃度。

4.如權(quán)利要求1所述的形成齒狀電容器的方法，其特征在于，所述交替層疊的摻雜硅玻璃層至少超過四層。

5.如權(quán)利要求1所述的形成齒狀電容器的方法，其特征在于，所述各摻雜硅玻璃層具有相同的厚度。

6.如權(quán)利要求1所述的形成齒狀電容器的方法，其特征在于，最鄰近所述基材的所述低摻雜濃度的摻雜硅玻璃層或是最外側(cè)的所述低摻雜濃度的摻雜硅玻璃層的厚度大于其它所述摻雜硅玻璃層的厚度。

7.如權(quán)利要求1所述的形成齒狀電容器的方法，其特征在于，所述摻雜硅玻璃層是以次常壓化學(xué)汽相沉積或等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積形成。

8.如權(quán)利要求1所述的形成齒狀電容器的方法，其特征在于，所述高摻雜濃度的摻雜硅玻璃層與所述低摻雜濃度的摻雜硅玻璃層的摻雜濃度差距10％。

9.如權(quán)利要求1所述的形成齒狀電容器的方法，其特征在于，所述摻雜硅玻璃層的厚度與濃度以及所述濕刻蝕工藝的處理時(shí)間可以調(diào)整來獲得最佳的所述齒狀結(jié)構(gòu)輪廓。