[發明專利]一種晶圓缺陷檢測方法

在審

• 申請號: 201210092225.5
• 申請日: 2012-03-31
• 公開（公告）號: CN102623368A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發明（設計）人: 盧意飛
• 申請（專利權）人: 上海集成電路研發中心有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種晶圓缺陷檢測方法，所述晶圓表面包括若干周期性重復的方塊單元，所述方塊單元中存在至少一個具有周期性重復圖形的區域，所述晶圓缺陷檢測方法包括以下步驟：

獲取晶圓的版圖設計數據和晶圓表面形貌信息；

根據所述版圖設計數據和晶圓表面形貌信息，選定目標方塊單元中具有周期性重復圖形的區域為待檢區域；

確定所述待檢區域中圖形重復的最小周期，根據所述最小周期設定偏移量；

以與目標方塊單元相鄰的方塊單元為參考方塊單元，將參考方塊單元中與所述待檢區域位置對應的參考區域的圖形按照所述偏移量進行偏移，獲得偏移參考區域；

對待檢區域圖形進行缺陷檢測，將所述待檢區域圖形與所述偏移參考區域圖形進行形貌比較，若待檢區域中某處圖形與偏移參考區域中對應位置的圖形均不一致時，則判定該處圖形存在異常；

掃描所述待檢區域上異常圖形，對成對出現且間隔距離為一個偏移量的兩個異常圖形，判斷位于偏移量方向起始處的異常圖形為缺陷，位于偏移量方向終止處的異常圖形非缺陷；對于其余單獨出現的異常圖形判斷為缺陷。

2.如權利要求1所述的晶圓缺陷檢測方法，其特征在于，所述版圖設計數據包括預設晶圓表面的圖形、層次及尺寸數據。

3.如權利要求1所述的晶圓缺陷檢測方法，其特征在于，所述晶圓表面形貌信息通過光學電子顯微鏡、掃描電子顯微鏡或聚焦粒子束掃描獲取。

4.如權利要求1所述的晶圓缺陷檢測方法，其特征在于，所述晶圓缺陷檢測針對所述晶圓上全部或部分方塊單元中周期性重復圖形的區域進行檢測。

5.如權利要求1所述的晶圓缺陷檢測方法，其特征在于，當所述方塊單元中存在多個周期性重復圖形的區域時，所述晶圓缺陷檢測方法針對方塊單元中全部或部分周期性重復圖形的區域進行檢測。

6.如權利要求1所述的晶圓缺陷檢測方法，其特征在于，所述偏移量數值為最小周期數值的整數倍。

7.如權利要求1所述的晶圓缺陷檢測方法，其特征在于，所述最小周期包括相互垂直的兩個方向的最小周期標量。

8.如權利要求1所述的晶圓缺陷檢測方法，其特征在于，所述最小周期包括沿著缺陷檢測掃描方向的最小周期標量和垂直于缺陷檢測掃描方向的最小周期標量。

9.如權利要求7或8所述的晶圓缺陷檢測方法，其特征在于，所述偏移量包括兩個分別與最小周期標量方向相對應的偏移標量。

10.如權利要求1所述的晶圓缺陷檢測方法，其特征在于，所述參考方塊單元包括與所述目標方塊單元相鄰的兩個方塊單元。