[發(fā)明專利]無線固態(tài)發(fā)光裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210089755.4 | 申請日： | 2012-03-30 |
| 公開（公告）號： | CN103247727A | 公開（公告）日： | 2013-08-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 許哲銘;林良達(dá) | 申請（專利權(quán)）人： | 隆達(dá)電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 無線 固態(tài) 發(fā)光 裝置 | ||
1.一種無線固態(tài)發(fā)光裝置，其特征在于，包括：
一基底；
一固態(tài)發(fā)光組件，包括：
一第一型半導(dǎo)體層，設(shè)置在該基底之上；
一發(fā)光層，設(shè)置在部分該第一型半導(dǎo)體層上而裸露部分該第一型半導(dǎo)體層；
一第二型半導(dǎo)體層，設(shè)置在該發(fā)光層上；以及
一感應(yīng)線圈層，設(shè)置在裸露的該第一型半導(dǎo)體層上，環(huán)繞該第二型半導(dǎo)體層，并分別電性連接該第一型半導(dǎo)體層和該第二型半導(dǎo)體層；以及
一磁場供應(yīng)裝置，用于對該感應(yīng)線圈層提供一時變磁場而使該感應(yīng)線圈層上產(chǎn)生一感應(yīng)電流，以供應(yīng)該固態(tài)發(fā)光組件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無線固態(tài)發(fā)光裝置，其中該第二型半導(dǎo)體層包括m個彼此互相隔離的區(qū)域，其中m為大于1的自然數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的無線固態(tài)發(fā)光裝置，其中該感應(yīng)線圈層電性連接該第二型半導(dǎo)體層的該些區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3任一所述的無線固態(tài)發(fā)光裝置，其中該基底為藍(lán)寶石基底或含硅基底。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的無線固態(tài)發(fā)光裝置，其中該第一型半導(dǎo)體層為一N型半導(dǎo)體層而該第二型半導(dǎo)體層為一P型半導(dǎo)體層，或該第一型半導(dǎo)體層為一P型半導(dǎo)體層而該第二型半導(dǎo)體層為一N型半導(dǎo)體層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的無線固態(tài)發(fā)光裝置，其中該N型半導(dǎo)體層是由摻雜有N型雜質(zhì)的氮化物半導(dǎo)體所構(gòu)成。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的無線固態(tài)發(fā)光裝置，其中該N型半導(dǎo)體層包括N型氮化鎵或N型氮化銦鎵。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的無線固態(tài)發(fā)光裝置，其中該P型半導(dǎo)體層是由摻雜有P型雜質(zhì)的氮化物半導(dǎo)體所構(gòu)成。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的無線固態(tài)發(fā)光裝置，其中該P型半導(dǎo)體層包括P型氮化鎵或P型氮化銦鎵。
10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的無線固態(tài)發(fā)光裝置，其中該第一型半導(dǎo)體層上設(shè)有一第一電極，該第二型半導(dǎo)體層的該些區(qū)域上各設(shè)有一第二電極，該感應(yīng)線圈層電性連接該第一電極和該些第二電極。
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