[發明專利]二氟化氙氣相刻蝕阻擋層的工藝有效
| 申請號： | 201210089500.8 | 申請日： | 2012-03-30 |
| 公開（公告）號： | CN103367138B | 公開（公告）日： | 2018-04-13 |
| 發明（設計）人： | 王堅;何增華;賈照偉;王暉 | 申請（專利權）人： | 盛美半導體設備(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/306 | 分類號： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司31100 | 代理人： | 陸嘉 |
| 地址： | 201203 上海市浦東新區*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氟化 氙氣 刻蝕 阻擋 工藝 | ||
【權利要求書】：
1.一種二氟化氙氣相刻蝕阻擋層的工藝，包括如下步驟：
將硅片放入預加熱腔內加熱到一設定溫度；
從所述預加熱腔內取出硅片并將硅片放入工藝腔內進行氣相刻蝕；
從所述工藝腔內取出硅片；
將硅片放入后加熱腔內加熱到一設定溫度并維持一定時間；
從所述后加熱腔內取出硅片并將硅片放入冷卻腔內冷卻到一設定溫度；
從所述冷卻腔內取出硅片。
2.根據權利要求1所述的二氟化氙氣相刻蝕阻擋層的工藝，其特征在于，在所述預加熱腔內，將所述硅片的溫度加熱到略高于工藝要求的溫度。
3.根據權利要求1所述的二氟化氙氣相刻蝕阻擋層的工藝，其特征在于，向所述冷卻腔內注入惰性氣體或者惰性氣體與還原性氣體的混合氣體直到所述冷卻腔內壓強與外界壓強一致，打開所述冷卻腔將所述硅片取出。
4.根據權利要求1所述的二氟化氙氣相刻蝕阻擋層的工藝，其特征在于，所述阻擋層的材料是鉭、氮化鉭、鈦、氮化鈦之一或者它們的混合物。
5.根據權利要求1所述的二氟化氙氣相刻蝕阻擋層的工藝，其特征在于，所述后加熱腔內的溫度為100℃-350℃。
6.根據權利要求1所述的二氟化氙氣相刻蝕阻擋層的工藝，其特征在于，硅片在所述后加熱腔內加熱的時間為1-5分鐘。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
