[發明專利]一種基于相位修正的RCS外推方法

無效

• 申請號: 201210089441.4
• 申請日: 2012-03-30
• 公開（公告）號: CN102608591A
• 公開（公告）日: 2012-07-25
• 發明（設計）人: 李南京;陳衛軍;李瑛;劉琦;劉寧;張麟兮;郭淑霞;周揚
• 申請（專利權）人: 西北工業大學
• 主分類號: G01S7/41
• 分類號: G01S7/41;G01S7/40
• 代理公司: 西北工業大學專利中心 61204
• 代理人: 王鮮凱

1.一種基于相位修正的RCS外推方法，其特征在于步驟如下：

步驟1：在微波暗室中對參考平板進行近距RCS測試，得到參考平板的散射值E_{plane_s}(α)，其中α為測試方位角；

步驟2：計算參考平板的遠場理論值E_{plane_∞}(α)；其中ω分別為在測試頻率下的平板散射場的傳播矢量與角頻率。A為散射場的矢量磁位，μ為自由空間磁導率，J為平板面電流密度，這里假設為1，R為板上的每點到測試點的距離，k為波數；

步驟3：在微波暗室中對目標進行近距RCS測試，得到目標在該距離下的散射值E_s(α)；

步驟4：根據下式計算F^-1[E_si(α)]；F-1[Esi(α)]≈F-1[Eplane_∞(α)]F-1[Eplane_s(α)]F-1[Es(α)];]]>

步驟5：對F^-1[E_si(α)]進行傅里葉變換，得到目標的遠場散射值E_si(α)，F^-1[·]為逆傅里葉變換。