[發明專利]一種有機電致發光器件及其制備方法無效
| 申請號: | 201210087674.0 | 申請日: | 2012-03-29 |
| 公開(公告)號: | CN103367647A | 公開(公告)日: | 2013-10-23 |
| 發明(設計)人: | 周明杰;王平;鐘鐵濤;陳吉星 | 申請(專利權)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 廣州三環專利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫;熊永強 |
| 地址: | 518000 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 有機 電致發光 器件 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發明屬于有機電致發光器件,具體涉及一種有機電致發光器件及其制備方法。
背景技術
有機電致發光器件(OLED)是基于有機材料的一種電流型半導體發光器件。其典型結構是在透明陽極和金屬陰極之間夾有多層有機材料薄膜(空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子輸送層和電子注入層),當電極間施加一定的電壓后,發光層就會發光。近年來,有機電致發光器件由于本身制作成本低、響應時間短、發光亮度高、寬視角、低驅動電壓以及節能環保等特點已經在全色顯示、背光源和照明等領域受到了廣泛關注,并被認為是最有可能在未來的照明和顯示器件市場上占據霸主地位的新一代器件。
目前,有機電致發光器件存在壽命較短的問題,這主要是因為有機材料薄膜很疏松,易被空氣中的水汽和氧氣等成分滲入后迅速發生老化。因此,有機電致發光器件進入實際使用之前必須進行封裝,封裝的好壞直接關系到有機電致發光器件的壽命。
傳統技術中采用玻璃蓋或金屬蓋進行封裝,其邊沿用紫外聚合樹脂密封,但這種方法中使用的玻璃蓋或金屬蓋體積往往較大,增加了器件的重量,并且該方法不能應用于柔性有機電致放光器件的封裝。以及,現有的有機電致發光器件通常不能提供良好的透光率。
發明內容
為克服上述現有技術的缺陷,本發明提供了一種有機電致發光器件及其制備方法。該制備方法可有效地減少水汽對有機電致發光器件的侵蝕,顯著地提高有機電致發光器件的壽命;透光率達到80%以上,可用于透明有機發光產品;尤其適用于封裝柔性有機電致發光器件。
一方面,本發明提供了一種有機電致發光器件,包括透明陽極基板、功能層、發光層、透明陰極和封裝層,透明陽極基板和封裝層形成封閉空間,所述功能層、發光層和透明陰極容置在所述封閉空間內,封裝層依次包括非摻雜膜層、摻雜膜層和聚對苯二甲酸乙二醇酯膜層,非摻雜膜層為MgF2、苯基嗎琳、8-羥基喹啉鋁、ZnS或ZnSe膜,摻雜膜層為MgF2、ZnS或ZnSe膜與金屬元素相摻雜形成的膜,其中,金屬元素包括Ca、Ba、Sr或Mg。
優選地,透明陽極基板為導電玻璃基板或導電聚對苯二甲酸乙二醇酯膜基板。
功能層通常包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和電子注入層。發光層設置于空穴傳輸層和電子傳輸層之間。優選地,功能層和發光層為通過真空蒸鍍的方法或溶液涂敷的方法設置。
透明陰極為介質層夾雜金屬層形成的介質層/金屬層/介質層結構。
封裝層依次包括非摻雜膜層、摻雜膜層和聚對苯二甲酸乙二醇酯膜層。
非摻雜膜層為MgF2、苯基嗎琳(NPB)、8-羥基喹啉鋁(Alq3)、ZnS或ZnSe膜,起到保護有機和陰極層的作用,也有延長水氧滲透路徑。
摻雜膜層為MgF2、ZnS或ZnSe膜與金屬元素相摻雜形成的膜,其中,金屬元素包括Ca、Ba、Sr或Mg。Ca、Ba、Sr和Mg均為高吸水性物質,可有效地減少水汽對有機電致發光器件的侵蝕,顯著地提高有機電致發光器件的壽命。摻雜膜層中摻雜Ca、Ba、Sr和Mg中的一種或幾種能增強水氧阻隔性能。優選地,摻雜膜層中金屬元素占摻雜膜層的質量百分數為5%~15%。
優選地,非摻雜膜層的厚度為30nm~50nm,摻雜膜層的厚度為30nm~50nm。
非摻雜膜層的層數不限,可以為單層,也可以為兩層或多層。摻雜膜層的層數不限,可以為單層,也可以為兩層或多層。優選地,非摻雜膜層與所述摻雜膜層交替疊層設置。此時,非摻雜膜層與摻雜膜層均為多層且層數相同。
另一方面,本發明提供了一種有機電致發光器件的制備方法,包括以下步驟:
在透明陽極基板上制備功能層、發光層和透明陰極;
通過真空蒸鍍的方式在透明陰極表面依次蒸鍍非摻雜膜層和摻雜膜層,最后真空蒸鍍聚對苯二甲酸乙二醇酯膜層形成封裝層,在聚對苯二甲酸乙二醇酯膜層邊緣涂布紫外線膠,由紫外線固化的方式干燥硬化所述紫外線膠,密封形成封閉空間,將功能層、發光層和透明陰極容置在封閉空間內,形成有機電致發光器件;
真空蒸鍍過程中的真空度為7×10-5~3×10-5Pa,蒸發速度為
非摻雜膜層為MgF2、苯基嗎琳、8-羥基喹啉鋁、ZnS或ZnSe;
摻雜膜層為MgF2、ZnS或ZnSe膜與金屬元素相摻雜形成的膜,其中,金屬元素包括Ca、Ba、Sr或Mg。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





