[發明專利]生產流程和可復用測試方法有效
| 申請號: | 201210084621.3 | 申請日: | 2012-03-27 |
| 公開(公告)號: | CN103035549A | 公開(公告)日: | 2013-04-10 |
| 發明(設計)人: | 王敏哲;彭經能;林鴻志;陳顥 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京德恒律師事務所 11306 | 代理人: | 陸鑫;房嶺梅 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 生產流程 可復用 測試 方法 | ||
技術領域
本發明總體涉及集成電路領域,更具體地,涉及生產流程和可復用測試方法。
背景技術
由于集成電路(IC)的發展,所以半導體行業因各種電子元件(即,晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的集成密度不斷改進而經歷了持續的快速增長。在極大程度上,這種集成密度的改進源于反復減小最小部件的尺寸,從而允許更多元件集成在給定區域上。
這些集成度的改進實際上基本為二維(2D)的,其中,通過集成元件所占用的區域基本上位于半導體晶圓的表面上。集成電路的增大的密度和對應的面積降低通常為設計者提供了封裝集成電路管芯的更大的自由度。各種技術允許管芯堆疊在不同結構中。例如,一種結構為將管芯堆疊在三維(3D)封裝件中。另一種結構為將一個或更多管芯堆疊在插入件上,例如,堆疊在2.5維(2.5D)封裝件中。
在制造工藝中,通常測試封裝件的各種元件。在2.5D或3D結構中,在堆疊以前,通常測試不同管芯。該測試可能很昂貴并且耗費時間。不同管芯上的較高的引角數可能會使利用探針板的測試很難。
發明內容
為解決上述問題,本發明提供了一種方法,包括:提供包括管芯區域的基板,管芯區域包括焊盤圖案的多個部分,多個部分中的第一部分中的每一個均包括第一一致焊盤圖案;通過第一探針板探測第一部分中的第一個;將第一探針板移動至第一部分的第二個;以及通過第一探針板探測第一部分的第二個。
其中,基板包括晶圓,晶圓包括有源管芯。
其中,基板包括晶圓,晶圓包括插入件,管芯區域位于插入件上方。
其中,提供基板的步驟包括在基板中形成管芯區域,形成管芯區域的步驟包括:將偽焊盤插入第一部分中的第一個、第一部分中的第二個、或者其組合。
其中,多個部分中的每一個均包括第一一致焊盤圖案。
其中,多個部分中的第二部分包括與第一一致焊盤圖案不同的非一致焊盤圖案,并且方法進一步包括通過第二探針板探測第二部分。
其中,多個部分中的第二部分中的每一個均包括第二一致焊盤圖案,第一部分和第二部分在管芯區域中交替,第一探針板同時探測第一部分,并且方法進一步包括:通過第一探針板同時探測第二部分。
該方法進一步包括:通過第二探針板探測多個部分中的第三部分。
其中,管芯區域包括:第一模塊和第二模塊,第一模塊包括第一部分中的第一個,并且第二模塊包括第一部分中的第二個。
其中,第一模塊和第二模塊中的每一個包括模塊對準標記,探測第一部分中的第一個的步驟和探測第一部分中的第二個的步驟均包括分別使用第一模塊的模塊對準標記和第二模塊的模塊對準標記。
其中,管芯區域包括管芯對準標記,以及多個部分中的每一個均包括部分對準標記,探測第一部分中的第一個的步驟和探測第一部分中的第二個的步驟均包括使用管芯對準標記以及分別使用第一部分中的第一個的部分對準標記和第二部分中的第二個的部分對準標記。
此外,還提供了一種方法,包括:在第一基板中形成第一結構,第一結構包括第一管芯區域,第一管芯區域具有第一部分和第二部分,第一部分和第二部分中的每一個均具有第一焊盤圖案;使用第一探針板探測第一部分的第一焊盤圖案和第二部分的第一焊盤圖案,第一探針板在第一部分和第二部分之間移動;在第二基板中形成第二結構,第二結構包括第二管芯區域,第二管芯區域具有第三部分和第四部分,第三部分和第四部分中的每一個均具有第二焊盤圖案;使用第二探針板探測第三部分的第二焊盤圖案和第四部分的第二焊盤圖案,第二探針板在第三部分和第四部分之間移動;以及將第一結構附接至第二結構。
其中,第一結構包括插入件,并且第二結構包括管芯。
其中,第一結構包括第一管芯,并且第二結構包括第二管芯。
此外,還提供了一種方法,包括:在第一晶圓上方形成第一管芯區域,第一管芯區域包括第一部分和第二部分,第一管芯區域包括:位于與第二部分中的信號焊盤的位置相對應的第一部分的位置處的第一部分中的偽焊盤;將第一探針板對準至第一部分;使用第一探針板探測第一部分;將第一探針板對準至第二部分;使用第一探針板探測第二部分;將第二管芯區域形成在第二晶圓上方;探測第二管芯區域;將第二管芯區域堆疊在第一管芯區域上方,從而形成堆疊結構;對堆疊結構實施第一測試;封裝堆疊結構,從而形成封裝結構;以及對封裝結構實施第二測試。
其中,第一部分和第二部分中的每一個均包括部分對準標記,將第一探針板對準至第一部分的步驟和對準至第二部分的步驟包括分別使用第一部分的部分對準標記和第二部分的部分對準標記。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





